公开(公告)号：CN117040532A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310968524.9

申请日：2023-08-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  刘翼霖 ,  张伟 ,  罗静 ,  赵攀峰 ,  冯全源

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46 ,  H03M1/06

Abstract: 本发明公开了一种应用于分段式逐次逼近模数转换器的权重误差校准方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中分段电容型逐次逼近模数转换器中由寄生电容带来的权重误差的校准方法。本发明提出的方法MSB阵列不需要添加额外的电容，仅需要添加开关Sk以降低比较器设计难度。同时LSB部分需要添加校准DAC阵列CA。CA由P比特单位电容Cu组成(Cu2Cu 4Cu…2P‑1Cu)的二进制阵列、校准结构Cfraq以及接地开关Sk组成。校准结构Cfraq又包括了四个单位电容和两个开关S1S2。通过控制开关S1S2可以产生不同的电容值Cu/4,Cu/2,3Cu/2可以降低面积消耗。此结构可以将误差降低到LSB/4。既提降低了ADC的权重误差，提高了ADC的有效位数，又不会过度提高比较器的增益要求(提高设计难度同时增大功耗)。

公开(公告)号：CN114826263A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210555656.4

申请日：2022-05-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  许童睿 ,  刘翼霖 ,  雷鹏 ,  赵攀峰 ,  冯全源 ,  罗静

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明公开了一种应用于分段式逐次逼近模数转换器的浮空节点校准方法，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明在MSB电容阵列上极板依次连接一个开关Sev、一个基准电容Cev、单刀双掷开关，单刀双掷开关连接正端参考电压VREFP或负端参考电压VREFN；在LSB电容阵列上极板通过可调整电容CA与地连接，可调整电容CA中单位电容CD的值比SAR ADC电容阵列中单位电容C的值小两个数量级；通过控制开关的闭合来控制校准电容下极板是否与地相连，从而控制可调整电容CA的值。只需要在MSB电容阵列上极板连接一个基准电容Cev以及在LSB电容阵列上极板连接一个可调整电容CA，方法简单便于电路设计；在SAR ADC上电后就进行浮空节点校准，不会影响其逐次逼近过程。

公开(公告)号：CN114826263B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202210555656.4

申请日：2022-05-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  许童睿 ,  刘翼霖 ,  雷鹏 ,  赵攀峰 ,  冯全源 ,  罗静

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明公开了一种应用于分段式逐次逼近模数转换器的浮空节点校准方法，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明在MSB电容阵列上极板依次连接一个开关Sev、一个基准电容Cev、单刀双掷开关，单刀双掷开关连接正端参考电压VREFP或负端参考电压VREFN；在LSB电容阵列上极板通过可调整电容CA与地连接，可调整电容CA中单位电容CD的值比SAR ADC电容阵列中单位电容C的值小两个数量级；通过控制开关的闭合来控制校准电容下极板是否与地相连，从而控制可调整电容CA的值。只需要在MSB电容阵列上极板连接一个基准电容Cev以及在LSB电容阵列上极板连接一个可调整电容CA，方法简单便于电路设计；在SAR ADC上电后就进行浮空节点校准，不会影响其逐次逼近过程。