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公开(公告)号：CN109326639B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201810967996.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极、分离栅电极、源极金属电极、第一分离栅槽、体内场板槽、第二分离栅槽，栅氧化层、4个介质层；本发明通过在分离栅VDMOS器件的漂移区内引入体内场板，将原有常规器件的二维耗尽方式变成三维耗尽，体内场板的引入，可以有效增加漂移区的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻，增强器件的耗尽能力，另一方面，本发明在漂移区中引入新的控制栅和分离栅，在相同的器件面积内增大沟道面积，增大器件的导电能力。
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公开(公告)号：CN107706514B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710773936.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带水平极化全向天线，包括一圆形的介质基板，和印制在介质基板上方的宽带微带馈电网络和印制在介质基板下方的刻蚀有缝隙的金属接地板，SMA接头设置在介质基板中心下方的金属接地板上；金属接地板的圆周面上刻蚀有两组间隔布置的大小相同、沿圆周交替排布、中心对称分布的呈十字交叉的缝隙；宽带微带馈线网络的中心设有功率分配器，沿宽带微带馈线网络圆周面径向分布有沿功率分配器中心延伸的阻抗变换器，阻抗变换器的端部呈直角延伸的微带宽带巴伦。本发明改变了电流路径，减小了天线体积；展宽了天线的阻抗带宽，降低了水平方向图的不圆度；改善了工作频带内的阻抗匹配，提高了天线的效率。其结构简单紧凑，加工方便，成本低。
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公开(公告)号：CN109119476A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810968196.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极、分离栅电极、源极金属、分离栅槽、体内场板槽、在分离栅槽内形成的栅氧化层介质、第一介质层，在体内场板槽内形成第二介质层、栅电极与分离栅电极之间的第三介质层、第四介质层；本发明在常规的分离栅VDMOS器件基础上，在分离栅VDMOS器件的漂移区内引入体内场板，将原有常规器件的二维耗尽方式变成三维耗尽，增强器件的耗尽能力，提高器件的漂移区掺杂浓度，进而降低比导通电阻。
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公开(公告)号：CN107706514A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710773936.1
申请日：2017-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带水平极化全向天线，包括一圆形的介质基板，和印制在介质基板上方的宽带微带馈电网络和印制在介质基板下方的刻蚀有缝隙的金属接地板，SMA接头设置在介质基板中心下方的金属接地板上；金属接地板的圆周面上刻蚀有两组间隔布置的大小相同、沿圆周交替排布、中心对称分布的呈十字交叉的缝隙；宽带微带馈线网络的中心设有功率分配器，沿宽带微带馈线网络圆周面径向分布有沿功率分配器中心延伸的阻抗变换器，阻抗变换器的端部呈直角延伸的微带宽带巴伦。本发明改变了电流路径，减小了天线体积；展宽了天线的阻抗带宽，降低了水平方向图的不圆度；改善了工作频带内的阻抗匹配，提高了天线的效率。其结构简单紧凑，加工方便，成本低。
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公开(公告)号：CN119323127A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411393217.3
申请日：2024-10-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F18/2131 , G06F18/25 , G06F119/14 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种融合多源特征信息的控制棒驱动机构运行状态评估方法，通过收集控制棒驱动机构运行过程中产生的电流数据，预处理后截取出电流信号中各动作时序点特征参数，对这些特征参数进行筛选处理得到关键特征参数，然后明确控制棒驱动机构的不确定性参数，进行随机变量分析，定义动作可靠性，构建控制棒驱动机构多场动力学仿真模型，基于多场动力学仿真模型，输入随机变量对控制棒驱动机构各关键特征参数进行可靠性评估，通过自上而下的层级结构构建融合多源特征信息的运行状态评估模型，实现对控制棒驱动机构的运行状态评估。通过本发明大大提高了控制棒驱动机构运行状态管理的效率，为控制棒驱动机构运行状态的全面准确评估提供有效支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115375529A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110559766.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法，所述装置部署于FPGA，所述装置包括：一级总线、二级总线、摄像设备、存取存储器、处理器、数字紧耦合存储器、直接存储访问器、加速器、存储卡；所述处理器与所述直接存储访问器连接，还与所述一级总线连接；所述直接存储访问器与所述处理器连接，还与所述一级总线连接；所述一级总线与所述处理器、所述直接存储访问器、所述第二总线、所述数字紧耦合存储器、所述加速器连接；所述第二总线与所述摄像设备、存取存储器连接；所述加速器与所述一级总线和所述存储卡连接。本发明能够基于所述图像检测装置进行高准确度、低成本、快速、便捷地获取目标检测结果。
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公开(公告)号：CN107359194B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710642100.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种消除高电场的器件，其元胞结构包括衬底、源极接触电极、漏极接触电极、栅电极、栅氧化层、第二类型漂移区、第二类型条、第一类型条、第二类型buffer区、第一类型阱区、第二类型重掺杂区、第一类型重掺杂区、第三类型重掺杂区；本发明将第二类型条的左端延伸至第一类型阱区内部且不与第二类型重掺杂区相连接，第一类型条的右端延伸至第二类型buffer区内部，使得左端第二类型条同时被多面的第一类型杂质耗尽，右端第一类型条同时被多面的第二类型杂质耗尽，使得超结边缘的电场尖峰被削弱，避免器件提前击穿，进一步提高超结器件的击穿电压，第二类型条左侧延伸至第一类型阱区内部，减小了开态时器件的沟道电阻，从而降低器件的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN109616522A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811070263.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，元胞结构包括：第二导电类型半导体衬底，第二导电类型半导体，第一导电类型半导体漂移区，第一导电类型半导体漂移区设有堆叠的PN条，PN条包括：第一层第二导电类型埋层、第一层第一导电类型半导体、第二层第二导电类型半导体、第二层第一导电类型半导体…第n层第二导电类型半导体、第n层第一导电类型半导体，源极第一导电类型JFET注入区设置在第二导电类型半导体和堆叠的PN条之间且位于第二导电类型半导体衬底上方，漏极第一导电类型JFET注入区设置在堆叠的PN条右侧且位于第二导电类型半导体衬底上方，本发明有效缓解器件开启状态下JFET区耗尽甚至夹断对器件非饱和区的影响，提高器件的非饱和区电流。
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公开(公告)号：CN109326639A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810967996.1
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极、分离栅电极、源极金属电极、第一分离栅槽、体内场板槽、第二分离栅槽，栅氧化层、4个介质层；本发明通过在分离栅VDMOS器件的漂移区内引入体内场板，将原有常规器件的二维耗尽方式变成三维耗尽，体内场板的引入，可以有效增加漂移区的掺杂浓度，降低器件的比导通电阻，增强器件的耗尽能力，另一方面，本发明在漂移区中引入新的控制栅和分离栅，在相同的器件面积内增大沟道面积，增大器件的导电能力。
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公开(公告)号：CN108269252A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810010354.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光辐照TDI-CCD的饱和串扰及侧斑建模仿真方法，主要解决现有技术在视场外远距离入射情况下适应性差的问题。其实现方案是：根据TDI-CCD成像系统的信号转换特性，建立相机光学系统基本模型，在该基本模型加入侧斑效应，得到视场外激光入射模型，并用该视场外激光入射模型对干扰下的目标区域推扫成像，建立激光干扰TDI-CCD相机的饱和串扰效应全链路模型；在该全链路模型中调整入射激光参数，获得不同激光入射条件下的仿真输出结果。本发明能方便的研究不同激光参数及相机参数下的饱和及串扰现象，为激光干扰TDI-CCD相机的应用提供了支撑，可用于对空天基干扰激光器的研发设计。
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