公开(公告)号：CN109119476A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810968196.1

申请日：2018-08-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  叶力 ,  方冬 ,  林祺 ,  李珂 ,  胡云鹤 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极、分离栅电极、源极金属、分离栅槽、体内场板槽、在分离栅槽内形成的栅氧化层介质、第一介质层，在体内场板槽内形成第二介质层、栅电极与分离栅电极之间的第三介质层、第四介质层；本发明在常规的分离栅VDMOS器件基础上，在分离栅VDMOS器件的漂移区内引入体内场板，将原有常规器件的二维耗尽方式变成三维耗尽，增强器件的耗尽能力，提高器件的漂移区掺杂浓度，进而降低比导通电阻。