公开(公告)号：CN108369924A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071850.8

申请日：2016-11-30

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 陈宗良 ,  约翰·哈塔拉 ,  梁树荣

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/265 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/513 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种方法，包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。

公开(公告)号：CN103534829A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023609.X

申请日：2012-05-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  约翰·哈塔拉

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/165

Abstract: 本发明揭示一种改良的电阻式存储元件的制造方法。电阻式内存包括底电极、顶电极、以及插入于底电极与顶电极之间的电阻材料层。界面形成在电阻材料层与顶电极之间以及电阻材料层与底电极之间。将离子植入元件，以改变所述界面中一者或两者的特性，从而改善存储元件的效能。这些离子可在上述三层制作后植入、在上述三层制作期间植入或在前述两个时间点植入。