公开(公告)号：CN1321449C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN03820410.X

申请日：2003-08-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 妹尾秀男 ,  永元公市 ,  堀米克彦 ,  大桥仁

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后，在搬运等情况下，能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外，本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。

公开(公告)号：CN1684225A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510060155.5

申请日：2002-03-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 妹尾秀男 ,  杉野贵志 ,  山崎修

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L23/00 ,  C09J4/00 ,  C09J7/00

CPC classification number: H01L23/3164 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/562 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/14 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种形成芯片保护膜的片材，能容易地在芯片背面形成非常均匀的保护膜，即使由于机械研磨在芯片背面产生微小划痕，也能消除划痕产生的不良影响。本发明的形成芯片保护膜的片材包括剥离片和在该剥离片的可分离表面形成的保护膜形成层，其中所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化组分以及粘合剂聚合物组分。

公开(公告)号：CN1218382C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN01131269.6

申请日：2001-08-31

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 杉野贵志 ,  妹尾秀男 ,  高桥和弘

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明第一种制造半导体器件的方法包括下列步骤：提供具有给定厚度的晶片，该晶片具有一个有半导体电路的表面和一个背面；形成切割深度小于晶片厚度的凹槽，凹槽从晶片电路表面延伸；在晶片电路表面上粘合上一层表面保护片；研磨晶片背面来降低晶片的厚度，最终将晶片分成各个芯片，各芯片之间有间隔；在研磨后的晶片背面粘合上一层用于拾取步骤的压敏粘合剂片，用于拾取步骤的压敏粘合剂片包括一片基底和一层叠加在其上的可能量辐射固化的压敏粘合剂层；对可能量辐射固化的压敏粘合剂层进行能量辐照；从晶片的电路表面剥离除去表面保护片。

公开(公告)号：CN1611968A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410090170.X

申请日：2004-10-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 本乡有记 ,  所司悟 ,  加藤一也 ,  妹尾秀男

IPC: G02B1/10 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/2542 ,  C08F292/00 ,  C09D4/00 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2538 ,  G11B7/2545 ,  G11B7/256 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  C08F220/10

Abstract: 采用一种涂料组合物涂覆基材膜11的一侧，该组合物包含(A)通过将分子中含有至少一个可聚合不饱和基团的有机化合物化学键合到无机氧化物粒子上而生产的反应性粒子，(B)分子中含有至少两个可聚合不饱和基团的有机化合物的单体或低聚物，和(C)具有重均分子量至少为1500并且分子中含有至少一个可聚合不饱和基团的有机化合物，和如需要，(D)含有二甲基硅氧烷骨架的硅氧烷化合物，和通过采用电离辐射辐照而固化该涂料组合物以形成厚度为2－20μm的硬涂层12。这提供了具有足够的表面硬度和受抑制的翘曲的硬涂膜。

公开(公告)号：CN1545729A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816407.5

申请日：2002-08-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 须美崇二 ,  山崎修 ,  杉野贵志 ,  妹尾秀男

IPC: H01L23/00 ,  C09J7/02 ,  C08G59/42 ,  C08K5/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G59/24 ,  C08G59/3218 ,  C08G59/4021 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/103 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/04 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  G03F7/038 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文所述的是一种胶粘带，它包括基片以及其上叠加的粘合剂层，所述粘合剂层包含粘着组分(A)、环氧树脂(B)、热活化的潜在环氧树脂固化剂(C)、可能量辐照聚合的化合物(D)以及光聚合引发剂(E)，其中，所述环氧树脂(B)与可能量辐照聚合的化合物(D)中的任一种或两种，其分子中具有二环戊二烯骨架。所提供的胶粘带具有粘合剂层，它可以减少粘合剂固化产物的吸水率，并且可以降低其在热压粘结时的弹性模量。

公开(公告)号：CN1161823C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN01801087.3

申请日：2001-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 中田安一 ,  岩方裕一 ,  近藤健 ,  妹尾秀男

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/562 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法。首先形成洛氏硬度至少为60、并且包括基层材料和黏合剂的加强材料；然后在其上形成有电路的硅晶片被切割前，将加强材料附着在硅晶片没有形成电路的一面上。

公开(公告)号：CN1138299C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN99117521.2

申请日：1999-08-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 妹尾秀男 ,  近藤健

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B28D5/0082 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1026 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1064 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848

Abstract: 一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带，其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层相接触的上层，与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层，并且上层的抗延伸性(A)、中层的抗延伸性(B)和下层的抗延伸性(C)满足式(I)B＜A≤C(I)。抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。本发明切割用胶带能均匀和充分地扩大晶片切割缝而不受压敏粘合剂弹性模量的影响，且切割缝极少会出现破裂现象。

公开(公告)号：CN1298204A

公开(公告)日：2001-06-06

申请号：CN00135078.1

申请日：2000-11-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 杉野贵志 ,  妹尾秀男

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种工艺:在带电路表面和背面的晶片中形成切割深度小于晶片厚度且从电路表面延伸的凹槽;表面保护层粘到电路表面后研磨背面,把晶片分成间隔的芯片;把包括基底和粘合层的切片/模片接合层粘到背面形成接触;剥离表面保护层暴露切片/模片接合层的粘合层;切割该粘合层;把粘有粘合层的芯片从切片/模片接合层的基底上分离;把这样的芯片接合到衬底上。可在极薄的芯片背面形成适量粘合层,避免芯片或封装断裂、开裂,提高生产率。