公开(公告)号：CN108713248B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780014930.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/683 ,  C08J5/18 ,  C09D4/00 ,  C09D5/00 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜同时满足以下条件：条件(1)：波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；条件(2)：波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。保护膜形成用复合片具备支撑片，并在支撑片上具备该保护膜形成用膜。

公开(公告)号：CN115536969A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211159504.9

申请日：2019-11-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: C08L33/12 ,  C08L63/02 ,  C08L63/00 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  C09J7/24 ,  C09J133/04 ,  C09J7/30 ,  H01L23/29 ,  H01L21/78 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。

公开(公告)号：CN114981928A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180010325.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  古野健太 ,  古贺遥

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。

公开(公告)号：CN113261091A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980079821.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太

IPC: H01L23/00 ,  B23K26/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片(101)，其具备支撑片(10)与形成在所述支撑片(10)的一个面上的保护膜形成用膜(13)，所述支撑片(10)具备基材(11)与形成在所述基材的一面或两面上的抗静电层(17)，将保护膜形成用复合片(101)的所述支撑片(10)的总透光率设为85％以上、或将雾度设为43％以下，将所述保护膜形成用复合片(101)的表面电阻率设为1.0×1011Ω/□以下。

公开(公告)号：CN112825305A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011302234.3

申请日：2020-11-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  古野健太

IPC: H01L21/683 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供一种具备第一层叠体(5)和支撑片(10)的套件(1)，所述第一层叠体(5)中依次层叠有第一剥离膜(151)、保护膜形成膜(13)及第二剥离膜(152)，所述保护膜形成膜(13)在23℃下的断裂伸长率大于700％。

公开(公告)号：CN112703239A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980059711.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: C09J175/04 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。

公开(公告)号：CN109789666A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780056701.9

申请日：2017-07-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  山本大辅 ,  古野健太

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层及保护膜形成用膜而构成，对由所述保护膜形成用膜形成的保护膜的激光印字性优异，且保护膜的印字的可见性也优异。所述保护膜形成用复合片具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层及保护膜形成用膜而成，作为所述基材及所述粘着剂层的层叠物的支撑片的雾度高于45％，所述支撑片的透射清晰度为100以上。

公开(公告)号：CN108350108A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062585.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 稻男洋一 ,  小桥力也 ,  古野健太

IPC: C08F2/46 ,  C09J4/00 ,  C09J7/29 ,  C09J7/50 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

CPC classification number: C08F2/46 ,  C09J4/00 ,  C09J7/00 ,  C09J7/20 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。

公开(公告)号：CN118231319A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410398346.5

申请日：2020-04-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 上道厚史 ,  根本拓 ,  中石康喜 ,  古野健太

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种第三层叠体(19)的制造方法，其中，工件(14)的一个面为电路面(14a)，另一个面为背面(14b)，背面保护膜形成用膜(13)的一个面为平滑面(13b)，另一个面为比平滑面(13b)粗糙的粗糙面(13a)，所述制造方法依次包括：将背面保护膜形成用膜(13)的粗糙面(13a)朝向工件(14)的背面(14b)进行贴附的第一层叠工序；及在背面保护膜形成用膜(13)的平滑面(13b)上贴附支撑片(10)的第二层叠工序。

公开(公告)号：CN111602229B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201880086831.1

申请日：2018-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  古野健太

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并分别求出这5片试验片中的粘着剂层的厚度的最小值及最大值时，所述最大值的平均值(L值)相对于所述最小值的平均值(S值)的比率(L值/S值)为1.2以上且小于5.0。保护膜形成用复合片在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。