公开(公告)号：CN114981928A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180010325.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  古野健太 ,  古贺遥

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。

公开(公告)号：CN115023801A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180010299.7

申请日：2021-01-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 根本拓 ,  田村樱子 ,  古野健太 ,  古贺遥

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序(S1)：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层(X1)的工序；工序(S2)：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。