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公开(公告)号：CN114930504A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090576.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。 在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。
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公开(公告)号：CN104040696B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201280064500.0
申请日：2012-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B7/06 , C09J7/401 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
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公开(公告)号：CN103797567A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044503.8
申请日：2012-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。
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公开(公告)号：CN104838491B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380063150.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08L63/00 , B32B27/308 , C08G59/4021 , C08G59/4261 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L33/10 , C08L83/04 , C09D133/10 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。
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公开(公告)号：CN102834903B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180017214.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/322 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J201/00 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/26 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3164 , H01L23/564 , H01L24/32 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , Y10T428/31511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104040696A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280064500.0
申请日：2012-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B7/06 , C09J7/401 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24802 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
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公开(公告)号：CN103903980A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410156191.0
申请日：2011-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/78 , C09J133/08 , C09D163/02 , C09D163/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/78 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/26 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3164 , H01L23/564 , H01L24/32 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , Y10T428/31511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法，其课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）和吸杂剂（C）。
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公开(公告)号：CN1957452A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580017069.4
申请日：2005-05-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/56 , C08J7/04 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/568 , H01L24/45 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , Y10T428/31504 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了密封经倒装式接合的器件时不产生气穴，或者密封经引线接合的器件时不引起引线的变形或者断线的半导体密封用树脂片以及使用该树脂片的半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体密封用树脂片由支撑片以及在该支撑片上可剥离地层叠的密封树脂层形成，该密封树脂层具有热固化性，热固化前的密封树脂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的密封树脂层在120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，将热固化前的密封树脂层维持在120℃时，熔融粘度到达最小值的时间在60秒以下。
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公开(公告)号：CN116918037A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018923.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
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公开(公告)号：CN115605980A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035591.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 琳得科株式会社(JP)
IPC: H01L21/301 , H01L23/28 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供即使用以形成屏蔽层的导电材料绕入到了半导体晶片的凸块形成面侧也能够充分抑制在凸块形成面上形成导电材料的半导体芯片的制造方法。该方法是包括下述工序(A)的半导体装置的制造方法。工序(A)：在设置有凸块的半导体晶片的凸块形成面被由固化性树脂的固化物形成的保护层所保护的半导体芯片形成屏蔽层的工序，其中，在上述凸块及上述凸块形成面中的至少任一者被包覆用片所包覆的状态下，在上述半导体芯片的从上述包覆用片露出的部分中的至少一部分形成屏蔽层。
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