公开(公告)号：CN117015840A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280014723.X

申请日：2022-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  曲伟峰 ,  久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，该氮化物半导体基板具备：耐热性支撑基板，其以密封层封入有由氮化物陶瓷形成的芯部；平坦化层，其设置于该耐热性支撑基板上；单晶硅层，其设置于该平坦化层上且碳浓度为1×1017个原子/cm3以上；碳化层，其以碳化硅为主成分、设置于该单晶硅层上且厚度为4～2000nm；及氮化物半导体层，其设置于该碳化层上。由此，提供高质量的氮化物半导体基板(尤其是适合于高频开关、功率放大器、功率切换器件用的GaN系高电子迁移率晶体管(HEMT)的氮化物半导体基板)及其制造方法。

公开(公告)号：CN115552568A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180033670.1

申请日：2021-04-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本申请提供了压电复合基底，其中即使在100℃或更低的温度下进行热处理，也可以通过离子注入过程来获得足以在具有显著小的线性膨胀系数的绝缘基底上形成压电层的粘合强度；以及所述压电复合基底的制造方法。通过将形成在中间层3的表面上的压电单晶基底1的离子注入层1a经由中间层3与绝缘基底2粘合来获得粘合体4，其中绝缘基底2的线性膨胀系数小于压电单晶基底的线性膨胀系数，它们之间的差为14×10‑6/K至16×10‑6/K。在热处理粘合体4后，留下离子注入层1a，并将压电单晶基底的剩余部分1b从粘合体4上剥离，留下依次堆叠的绝缘基底2、中间层3和压电层1a。绝缘基底2和中间层3均由含Si的无定形材料制成。

公开(公告)号：CN103828021B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280045025.2

申请日：2012-09-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2011 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种制造复合晶片的方法，其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片，并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤：将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片，所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和，并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层；在200℃至400℃加热所述键合晶片；以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜，以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。

公开(公告)号：CN105190835A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104488081A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。

公开(公告)号：CN104040686A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005209.0

申请日：2013-01-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。