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公开(公告)号：CN116009141A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310098368.5
申请日：2023-02-10
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/028
Abstract: 本申请涉及一种DMD优化渐变多模光纤，其包括沿多模光纤径向，由内到外依次设置的纤芯层、内包层、下陷包层和外包层；其中，沿多模光纤径向，所述内包层包括由内到外依次设置的第一部分和第二部分，所述第一部分相对纯石英玻璃的折射率随多模光纤的半径增大而呈直线逐步下降，所述第二部分相对纯石英玻璃的折射率随多模光纤的半径增大而呈直线逐步上升。本申请通过将内包层进行两段控制，使得所述内包层的折射率剖面成V字型的折线，优化了多模光纤的纤芯层起始位置的DMD，改善纤芯层起始位置高阶模的传输性能，同时兼顾DMD、满注入有效带宽、有效带宽，提高高端多模光纤的产出比例，从而提高产品质量，提高利润率。
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公开(公告)号：CN107179579A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710428285.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/01853 , C03B37/025
Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，低损耗光纤由内至外依次包括芯层和相邻包层，芯层不含锗，芯层中氟的含量小于或等于0.1wt％，芯层的相对折射率差小于或等于0.05％，相邻包层中氟的含量为1～2wt％，相邻包层的相对折射率差小于或等于‑0.28％；芯层和相邻包层中掺有碱金属卤代物。本发明，在满足芯包折射率设计前提下，在缩棒过程中，通过加入碱金属卤代物，既可以降低1383nm波长处由氢氧根引起的衰减，同时通过优化锗、氟、钾离子掺杂浓度，可以匹配芯层和包层的粘度，从而有效降低了拉丝过程中纤芯应力集中所造成的光纤衰减增加。
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公开(公告)号：CN102092936A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010610166.7
申请日：2010-12-29
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2203/22
Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法，包括步骤：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒，采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层；(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层，熔缩成光纤芯棒预制件；(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上，进行外包层的沉积，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明能够大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本，便于规模化生产的推广，以满足高速宽带接入网络对弯曲不敏感单模光纤发展的需求，而且提升了氟的沉积效率，增大了氟沉积包层的下陷深度，显著提升了光纤的抗弯能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101738682A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010000810.9
申请日：2010-01-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/028 , G02B1/00 , C03B37/018 , C03B37/02
CPC classification number: G02B6/0365 , C03B37/01228 , C03B37/0183 , C03B37/02754 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2201/34 , C03B2203/12 , G02B6/0281 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种光纤及其制造方法，是一种大模场有源光纤及其制造方法，大模场有源光纤由纤芯和依次包覆在该纤芯外表面上的石英玻璃内包层、石英玻璃外包层、涂层拉制而成，纤芯由掺杂稀土离子的四氯化硅在石英玻璃管中沉积、熔缩而成，其折射率为渐变折射率且纤芯折射率剖面参数α的变化范围为1≤α≤3，石英玻璃内包层的外形呈正多棱柱状。本发明提供的大模场有源光纤，兼具大模场与近似单模输出的优点，提高了有源光纤承受激光功率的能力与储能密度，提高了输出激光的光束质量，避免了输出激光空心环的问题，同时大大地提高了高功率光纤激光器件的可靠性，提高了原材料的利用效率，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN101458360A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810180468.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种带宽优化的多模光纤及其制造方法。该多模光纤由渐变折射率分布的纤芯、石英玻璃包层、涂层三部分组成。采用优化掺杂气体流量曲线的方法，控制光纤芯子的折射率剖面分布参数，将光纤最佳带宽优化在850nm通信窗口。该光纤的差分模时延最大变化小于0.22ps/m，满注入带宽在850nm和1300nm分别大于3500MHz.km和500MHz.km，有效模带宽在850nm和1300nm分别大于4700MHz.km和500MHz.km。本发明制造的多模光纤减小了模间色散与时延，提高传输带宽，不仅能够满足低速网络应用要求，而且可以满足万兆高速宽带网络的应用需求。
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公开(公告)号：CN1562844A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410008654.5
申请日：2004-03-18
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种降低光纤氢损的光纤氘处理方法以及该方法所使用的设备，本发明方法和设备的主要特点在于：在一般温度下对拉制成型的光纤进行氘处理，降低和消除光纤内的缺陷，从而降低光纤氢损。使用本发明方法和设备所处理的光纤在1383nm氢损的附加损耗小于等于0.01dB/km。
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公开(公告)号：CN1433982A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03118715.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/012 , C03B37/018 , G02B6/00
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B37/0183 , C03B2201/31 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , C03B2207/86
Abstract: 本发明涉及光纤制造领域中的一种光纤预制棒及制造方法。本发明光纤预制棒的波导结构为：凹陷深度d范围为：－1.00％≤d≤－0.001％；凹陷宽度w与预制棒芯子直径2a比例范围为：0.10％≤w/2a≤5.00％；芯子起点高度h范围为：－1.00％≤h≤1.00％；它通过增大多模光纤凹陷深度、凹陷宽度以及减少预制棒中GeCl4的掺杂量方法，设计出一种内包层下凹型多模光纤预制棒，它减少预制棒中GeCl4的掺杂量，降低了成本；减小体系的瑞利散射，降低了多模光纤的衰减；使光纤的带宽性能得到了优化，提高了多模光纤的整体性能。
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