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公开(公告)号：CN109081301A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810902312.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在晶圆正面的边缘部键合挡板；其中，晶圆正面的中心部与挡板相分离；在挡板背向晶圆一侧表面贴附第一薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用激光从晶圆背面对晶圆进行隐形激光切割；在切割晶圆完成之后，对晶圆进行解键合，以分离晶圆与挡板。通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；在晶圆的正面键合挡板可以通过挡板有效的保护晶圆正面的MEMS结构；通过激光从晶圆的背面进行隐形激光切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生，同时避免从晶圆正面进行切割，从而可以有效避免在晶圆正面设置复杂的切割道等结构，减少晶圆正面MEMS结构设计的困难。
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公开(公告)号：CN107827079A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN106800272A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710087018.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00896 , B81C99/004
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
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公开(公告)号：CN110902643B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110797315B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN110902643A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN106800272B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710087018.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
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公开(公告)号：CN106784165B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710062648.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，在金属反射层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理，图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔，所述锚点孔为直孔，沉积第二支撑层；在第二支撑层蚀刻通孔；在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN211847141U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201922072681.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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