公开(公告)号：CN102207692A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110188741.3

申请日：2011-07-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 张进宇 ,  彭瑶 ,  王燕 ,  余志平

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/14

Abstract: 本发明涉及一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法，属于集成电路制造技术领域，用于集成电路制造工艺中；该方法包含以下步骤：用矩阵表示掩膜版图形；用矩阵表示光刻系统光源的强度分布；利用所述光源强度分布矩阵，计算得到所述光刻系统的成像核及其系数，所述成像核用一组矩阵Hk(k＝1，2，……，l)表示，所述系数用μk(k＝1，2，……，l)表示；对于所述矩阵m做粗像素转换；对于所述每个成像核矩阵Hk做粗像素转换；利用所述粗像素转换后的表示掩膜版的矩阵和表示成像核矩阵卷积，并对所述卷积结果先求和再做线性插值；利用所述线性插值后的结果，根据给出的公式计算所述掩膜版经过光刻系统之后的成像光强分布。

公开(公告)号：CN209045569U

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201821606189.9

申请日：2018-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 李政逵 ,  张进宇 ,  王燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提出了一种改良的混合式无结型鳍状晶体管，包括：大粒径，所述大粒径由非结晶硅在SOI硅片上进行固相结晶获取；有源层，其中，浮层的所述有源层的源漏区域包覆在器件两侧以形成无结型鳍状晶体管，其中，将接点直接置于所述有源层的源漏区域上方，以利用所述衬体的浓度使沟道的有效厚度降低；栅极，淀积氧化层以形成栅极氧化物层并通过以及金属化形成所述栅极，其中，通过改变衬体的掺杂浓度来改善I-V特性；堆栈出多层的结构以形成多层的混合型无结型鳍状晶体管。该实用新型可以有效抑制IOFF，保证衬体侧面的载流子形成沟道，适用于低频且需要高增益的模拟电路系统。