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公开(公告)号：CN209045569U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821606189.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型提出了一种改良的混合式无结型鳍状晶体管，包括：大粒径，所述大粒径由非结晶硅在SOI硅片上进行固相结晶获取；有源层，其中，浮层的所述有源层的源漏区域包覆在器件两侧以形成无结型鳍状晶体管，其中，将接点直接置于所述有源层的源漏区域上方，以利用所述衬体的浓度使沟道的有效厚度降低；栅极，淀积氧化层以形成栅极氧化物层并通过以及金属化形成所述栅极，其中，通过改变衬体的掺杂浓度来改善I-V特性；堆栈出多层的结构以形成多层的混合型无结型鳍状晶体管。该实用新型可以有效抑制IOFF，保证衬体侧面的载流子形成沟道，适用于低频且需要高增益的模拟电路系统。
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