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公开(公告)号：CN113049549B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911380593.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电化学发光剂、生物检测试剂、电化学免疫测试方法。该电化学发光剂包括量子点，该量子点为CdSe/CdS/ZnS核壳量子点，CdSe为核，CdS为第一壳层，ZnS为第二壳层，量子点表面包括水溶性配体。该量子点具有优秀的电化学发光性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN114958377A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110271176.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种合金纳米晶群，核壳纳米晶群及其合成方法、含其的组合物、电子器件。该合金纳米晶群包括多个合金纳米晶，各合金纳米晶包括第一II族元素，第二II族元素及第一VI族元素，合金纳米晶群的拉曼峰的半峰宽小于等于15cm‑1，合金纳米晶的平均尺寸大于对应的体相的合金化合物的激子直径。该合金纳米晶群具有优异的窄半峰宽。
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公开(公告)号：CN109468134B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN107522723B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710675552.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了纳米晶‑配体复合物、其制备方法及其应用。该纳米晶‑配体复合物包括纳米晶以及至少两种与纳米晶形成表面配位的配体，配体为一元或多元羧酸配体，至少两种配体的C链骨架具有链长度差。本申请的纳米晶表面具有至少两种配体，不同配体之间的相互作用减小，即减少分子链交错、类晶体的堆砌，增大了旋转熵/弯曲熵，配体的C‑Cσ构象自由度得到充分释放，产生巨大的溶解熵，从而增大纳米晶的溶解度，且由于一元或多元羧酸配体的成本较支链羧酸配体的成本低，因此，实现了低成本提高纳米晶溶解度的目的；同时，基于一元羧酸的化学稳定性和较好的溶解性，使得纳米晶‑配体复合物具有较高的量子效率。
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公开(公告)号：CN106010499B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610332620.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种核壳量子点的表面优化方法。该核壳量子点的壳层为硫化物，该表面优化方法包括：去除具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢，得到去除表面缺陷的核壳量子点。由于合成上述量子点的壳层过程中硫化氢是不可避免会存在的，且硫化氢是以气体方式存在于体系中，在将具有核壳量子点的第一反应体系中的硫化氢去除后，由于硫化氢导致缺陷明显减弱甚至消失，进而使得核壳量子点的表面得到优化，提高了其荧光量子产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109468134A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811216931.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种量子点、制作方法、单光子源和QLED。该量子点包括量子点本体和设置在量子点本体外表面的配体，配体包括电化学惰性配体，电化学惰性配体的还原电位大于量子点本体的导带底对应的电位，电化学惰性配体的氧化电位小于量子点本体的价带底对应的电位，电化学惰性配体占量子点本体外表面的所有配体的80％以上。该量子点由于包括电化学惰性配体，使得其发光效率较高，器件较稳定，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN109439327A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811189961.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 浙江大学 , 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了III-V族量子点的制备方法、量子点含其的发光器件。该方法包括：S1，将包括III族元素前体、脂肪酸配体、V族元素前体和第一溶剂的混合液加热反应，并去除具有活化量子点核表面的脂肪酸，形成包括III-V族量子点核的第一溶液；S2，加入第一II族元素前体和第一VI族元素前体至第一溶液中反应，形成第二溶液；S3，从第二溶液中纯化第一III-V/II-VI族核壳量子点；S4，将包括第一III-V/II-VI族核壳量子点、第二II族元素前体、第一VI族元素前体、熵配体的第二组分和第二溶剂的混合液加热反应，形成第三溶液。该制备方法得到的量子点内部无缺陷，提高量子点的单分散性、稳定性和荧光效率。
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公开(公告)号：CN106010524B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610349306.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 浙江大学
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/74 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/06 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了III‑V族量子点、其制备方法及其应用。该制备方法包括：S1，将III族元素前体、溶剂、表面活化剂、III‑V族量子点晶种混合，得到混合体系；S2，加热混合体系至第一温度；以及S3，向温度为第一温度的混合体系中加入V族元素前体，得到III‑V族量子点，其中，III‑V族量子点晶种带有羧酸配体，表面活化剂为乙酰丙酮或乙酰丙酮的衍生物或带有羧酸基团的化合物RCOOH，第一温度为120℃～200℃之间。将上述反应温度控制在120℃以上，晶种提供了成核位点，因为自成核的能垒比在晶种上生长更高，因此可以使成核和生长分开，进而利于III‑V族量子点的生长而影响粒径分布。
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公开(公告)号：CN107681059A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710719676.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5096 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了单光子源器件、其制备方法及其应用。该单光子源器件包括依次叠置的第一电极层、第一载流子传输层、量子点发光层、第二载流子传输层和第二电极层，量子点发光层包括绝缘材料及分散在绝缘材料中的量子点，且至少部分量子点的相邻间距大于等于量子点的发光光谱中心波长。在量子点发光层中设置绝缘材料，因为受现有载流子材料选择限制，空穴的传输速度相对于电子的传输速度慢，利用绝缘材料的绝缘性平衡量子点发光层两侧的电子和空穴的平衡注入。本申请通过在量子点发光层中设置绝缘材料，增加了电子穿过的障碍，进而能够保证量子点发光的单光子效果，从而进一步减小单光子源器件的自相关系数。
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