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公开(公告)号：CN106299050B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201611009348.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，通过保持倾斜侧壁的微纳结构之间的空气，利用倾斜侧壁和空气界面的全反射以及菲涅耳散射对深紫外光进行散射，从而克服了现有技术存在的金属反射镜的金属对深紫外光的强烈吸收作用，倾斜侧壁结构的作用被严重影响的缺陷，从而最大化提高DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN105702816B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610257518.2
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，是增强半导体掺杂效率和载流子浓度的深紫外发光二极管的制备方法，在发光二极管结构中引入绝缘层/半导体结构，通过外部电场实现半导体增强型效应，利用外加电压，实现能带弯曲，引起局部载流子浓度的增加，从而间接地提高掺杂效率，最终提高发光二极管的发光效率，本发明克服了现有技术为增加发光二极管掺杂效率和载流子浓度是采用在外延生长时进行控制，其要求控制精度高、工艺复杂和重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN105304775B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510783423.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法，涉及半导体器件,步骤是：在图形衬底表面沉积低折射率材料层；在低折射率材料层上沉积金属镍薄膜；快速高温热退火，形成金属镍纳米阵列；干法刻蚀低折射率材料层；湿法去除镍。本发明方法在已有的图形衬底上通过微纳加工的方法使图形衬底上覆盖一层微纳结构化的低折射率材料薄膜层，通过避免光刻对准工艺，克服了现有技术对设备要求非常高和光刻难于精确对准的缺陷。
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公开(公告)号：CN106590625A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611101056.1
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/703 , H01L33/26 , H01L33/502
Abstract: 本发明公开了一种基于发光纳米颗粒的发光材料及其制备方法。所述发光材料包括至少一个具有n层核壳结构的发光纳米颗粒和包覆在发光纳米颗粒外表面的外包层；所述n≥2；所述具有n层核壳结构的发光纳米颗粒包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层，克服了现有技术中单个发光纳米颗粒自身的稳定性仍受到相当限制的缺陷。所述基于发光纳米颗粒的发光材料的制备方法，采用在发光纳米颗粒核表面不断生长包覆层的方法，最后由外包层将至少一个发光纳米颗粒包覆起来。该方法简单易行。
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公开(公告)号：CN106299050A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201611009348.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，通过保持倾斜侧壁的微纳结构之间的空气，利用倾斜侧壁和空气界面的全反射以及菲涅耳散射对深紫外光进行散射，从而克服了现有技术存在的金属反射镜的金属对深紫外光的强烈吸收作用，倾斜侧壁结构的作用被严重影响的缺陷，从而最大化提高DUV LED的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990534A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610530793.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/50 , H01L51/0032 , H01L51/42 , H01L51/5056 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件，包括下述步骤：1)制备光电转换层材料的前驱体溶液；2)制备透明导电基底；3)在步骤2)中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4)利用半导体加工方式，在步骤3)得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；5)以步骤4)中的骨架结构作为骨架，将步骤1)制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。
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公开(公告)号：CN105932129A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610260335.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007
Abstract: 本发明一种LED的芯片结构及其制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、N型半导体材料、多量子阱层、P‑型半导体材料、绝缘层、电流扩展层、P型欧姆电极和N型欧姆电极，其中绝缘层所用材质为无掺杂的AlN、Al2O3、SiO2、Si3N4、金刚石、LiF或PMMA，厚度为0.5～20nm；通过插入绝缘层，减少P‑型半导体材料与金属接触处的耗尽区长度，提高空穴浓度，增加空穴遂穿概率，减小P‑型半导体材料/P‑电极的接触电阻，提高内量子效率和电光转化效率，克服了现有技术存在LED器件中P‑型半导体材料掺杂效率不高，空穴注入效率低的缺陷。
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公开(公告)号：CN105449103A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510783542.5
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/4213 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4253 , H01L51/001
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。
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公开(公告)号：CN105304775A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510783423.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/005
Abstract: 本发明具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法，涉及半导体器件,步骤是：在图形衬底表面沉积低折射率材料层；在低折射率材料层上沉积金属镍薄膜；快速高温热退火，形成金属镍纳米阵列；干法刻蚀低折射率材料层；湿法去除镍。本发明方法在已有的图形衬底上通过微纳加工的方法使图形衬底上覆盖一层微纳结构化的低折射率材料薄膜层，通过避免光刻对准工艺，克服了现有技术对设备要求非常高和光刻难于精确对准的缺陷。
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公开(公告)号：CN107293624B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710636724.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于h‑BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构，其特征在于该外延结构包括衬底、n型半导体材料层、多量子阱层、p‑型电子阻挡层、p‑型半导体材料层、p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体材料层，其中h‑BN层相对介电常数取值为3～5.1，该相对介电常数小于p‑型重掺杂半导体材料层的相对介电常数和n‑型重掺杂半导体材料层，h‑BN层的厚度为1nm～5nm；所述p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体材料层共同构成隧穿结。该发光二极管外延结构具有能提高LED器件空穴注入效率的隧穿结结构，增加了载流子的隧穿几率，同时改善了电流扩展效应，显著提高LED内量子效率和光输出功率。
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