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公开(公告)号:CN103809239B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201210445107.8
申请日:2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长波导及制备方法。首先,在含氧基底表面沉积硬掩膜;随后,在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层;接着,以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层;最后,以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构,本发明的亚波长波导结构紧凑,制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号:CN103809239A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201210445107.8
申请日:2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长波导及制备方法。首先,在含氧基底表面沉积硬掩膜;随后,在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层;接着,以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层;最后,以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构,本发明的亚波长波导结构紧凑,制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号:CN103809238A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201210446936.8
申请日:2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长Y分支波导及制备方法。首先,在含氧基底表面沉积硬掩膜;随后,在所述硬掩膜表面制作出Y型周期性光刻胶图形层;接着,以该Y型周期性光刻胶图形层为掩膜制备Y型周期性硬掩膜图形层;最后,以Y型周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的Y型周期性柱体结构,本发明的亚波长Y分支波导结构紧凑,制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号:CN108153001B
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN201611103311.6
申请日:2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器,包括:基底及其上的绝缘层;n型掺杂硅层,位于所述绝缘层之上;p型掺杂硅层,位于所述n型掺杂硅层之上;铁电薄膜,位于所述p型掺杂硅层之上;其中,所述n型掺杂硅层接地,所述p型掺杂硅层接控制信号,所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起,利用铁电薄膜极化时的场强,大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度,从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器,也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂,后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单,控制方便,工艺与CMOS兼容,很适合工业推广。
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公开(公告)号:CN105629522B
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201410620813.0
申请日:2014-11-06
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器,至少包括:脊型波导,所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条,所述凸条高于所述平板部;所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间,且沿所述凸条的延伸方向延伸;所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中;所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中,在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结,在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区,弥补解决离子注入对准误差的问题,并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号:CN108152886A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201611100701.8
申请日:2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
Abstract: 本发明提供一种基于硅光子晶体的三光束分光器,包括:二维硅光子晶体波导;偏振选择缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的输入通道,使三光束分光器具有偏振选择功能;功率控制缺陷,设置于所述二维硅光子晶体波导的十字交叉区域,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明通过在二维硅光子晶体波导的输入通道引入不同的偏振选择缺陷,使得分光器具有偏振选择功能,对于TE分光器而言,TE波能够进入并在分光器中传播,而TM波不能进入,对于TM分光器则恰好相反;并且,同时通过在波导的十字交叉区域引入功率控制缺陷,使得三束输出光具有相等的功率输出。本发明具有传输效率高、适用波长范围大、结构简单、易于级联以及工作带宽较大等重要优势。
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公开(公告)号:CN105652371B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201410664561.1
申请日:2014-11-14
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器,所述偏振分束器至少包括:形成在SOI材料的顶层硅上的波导,所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导,以及模式转化器;所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导;其中,所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导;所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导;所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号:CN108153001A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201611103311.6
申请日:2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器,包括:基底及其上的绝缘层;n型掺杂硅层,位于所述绝缘层之上;p型掺杂硅层,位于所述n型掺杂硅层之上;铁电薄膜,位于所述p型掺杂硅层之上;其中,所述n型掺杂硅层接地,所述p型掺杂硅层接控制信号,所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起,利用铁电薄膜极化时的场强,大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度,从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器,也可以用于马赫-曾德尔型光调制器的两臂,后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单,控制方便,工艺与CMOS兼容,很适合工业推广。
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公开(公告)号:CN104730643B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201510173591.7
申请日:2015-04-13
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法,其中,所述设计方法至少包括:将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导,确定所述多模区的尺寸,其方法如下:分析计算所述多模区各阶模的有效折射率,以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图;预先选定所述多模区所需的厚度,在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下,根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度,以使所述多模干涉耦合器工作时能够具有偏振不敏感特性。本发明的设计方法,通过最佳化的设计器件各个尺寸,实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器。
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公开(公告)号:CN106646783A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201710078304.3
申请日:2017-02-14
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
CPC classification number: G02B6/4246 , G02B6/4204 , G02B6/43
Abstract: 本发明提供一种硅基WDM光收发模块,所述硅基WDM光收发模块包括:硅光子芯片,包括调制器阵列和探测器阵列;以及基于平面光波导技术实现的波分复用器及解复用器,所述波分复用器与所述调制器阵列通过封装连接,所述解复用器与所述探测器阵列通过封装连接。本发明通过将硅光子芯片和基于平面光波导技术(PLC)实现的波分复用及解复用芯片封装在一起实现WDM光模块,从而避免硅基波分复用/解复用器在工艺上的困难;并且,针对传统基于分立器件和PLC技术的WDM光收发模块,集成度低,功耗高的缺点,本发明通过采用硅光子技术将调制器阵列和探测器阵列集成在一起,可以大大提高光收发模块的集成度,降低功耗。
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