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公开(公告)号：CN110260556A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910371118.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种热电制冷器件，包括p型热电偶臂、n型热电偶臂、第一电极以及第二电极，p型热电偶臂的p型半导体和n型热电偶臂的n型半导体电连接，电连接的部位为可发热且发光的热端；第一电极与p型半导体电连接的部位为可制冷的第一冷端；第二电极与n型半导体电连接的部位为可制冷的第二冷端。还提供一种热电制冷器件的制备方法，包括S1和S2两个步骤。本发明通过将p型半导体和n型半导体直接电连接以得到能够发热且发光的热端，不仅能通过现有的散热手段将热量散出，还可以通过光能的形式散出，可使热端向冷端的传热量大大减小，可极大地提升热电制冷器件的制冷能力和制冷效率。
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公开(公告)号：CN109797366A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910005762.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法，其先采用磁控溅射法制得纯相Sn2Se3薄膜，再将高纯Ti片贴于纯相Sn2Se3薄膜上，采用磁控共溅射法制得Ti掺杂Sn2Se3相变材料。本发明的Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法通过在纯相Sn2Se3薄膜的基础上掺入一定比例的Ti杂质，从而改善了纯相Sn2Se3的相变特性，相对于纯相Sn2Se3，本发明所制Ti掺杂Sn2Se3相变材料的相变温度提高了100℃左右，晶态电阻比保持在4-5个数量级，晶态电阻得到提高，在亚稳态下变的更为稳定。
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公开(公告)号：CN105261700B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510564034.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法，该方法包括：(1)电子束蒸镀制备底电极，(2)静电纺丝方法在底电极上制备纳米纤维，(3)退火处理后在纳米纤维两端引出顶电极即得。湿度环境中该纳米纤维存储器件具有良好的电致电阻性能。在纤维表面滴加金属盐溶液并进行干燥处理，处理后的存储器件在湿度环境中的电学测试结果表明其电致电阻效应是有序电流丝的产生和断裂以及场致离子迁移共同作用的结果。本发明的纤维存储器件具有更高的集成度、更好的重复性和生物兼容性，在模拟神经网络和非易失性存储器领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110459670A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910721206.6
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于非晶材料原位制备磁性纳米复合热电材料的方法，该制备方法，包括以下步骤：将非晶材料在晶化温度以上进行热处理，原位得到磁性纳米复合热电材料；所述磁性纳米复合热电材料由热电基体材料和磁性纳米颗粒组成。本发明以非晶材料为原材料，在其晶化温度以上进行热处理，原位获得由热电基体材料和磁性纳米颗粒组成的磁性纳米复合热电材料，所得的磁性纳米复合热电材料中磁性纳米颗粒分布均匀、尺寸可控，性能重复性好，且制备工艺大大简化，进而大大降低了其制备成本低，适用于工业化生产，对制备磁性纳米复合热电材料具有重要的经济和科学价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364506A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910601090.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/532 , G06F17/50
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，提供一种具有高稳定性的仿生集成电路，该仿生集成电路分支后线路的宽度之和等于分支前主干线的宽度。本发明通过仿生设计减少了电路内局部过热区与热应力的产生，从而使得复杂连线之间达到温度均匀。本发明结构简单，有效可行，适用于工业化生产，对防止集成电路中由于复杂走线所导致温度分布不均问题有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110323056A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910576915.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的方法，具有单畴结构的磁性纳米颗粒与基体粉末混合时，由于磁性纳米颗粒间磁力大于重力，磁力的吸引必然会导致磁性纳米颗粒之间发生团聚，影响磁性纳米复合材料的性能。通过在高于磁性纳米颗粒的居里温度下混合磁性纳米颗粒与基体粉末，由于磁性纳米颗粒铁磁性转变为顺磁性，磁力相互作用消失，磁性纳米颗粒不再由于磁力作用而团聚，并在该温度下将混合粉末压结成块，从而解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的问题。本方法工艺简单、成本低廉、更有效可行，对解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚问题具有普遍意义。
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公开(公告)号：CN109635442A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811525642.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/5086
Abstract: 本发明公开了一种基于COMSOL软件的面内型热电器件结构设计方法，包括以下步骤：在COMSOL软件模型向导中选择三维空间维度和热电效应物理场，进入稳态研究；建立需要求解的热电器件的几何物理模型；定义相关全局参数和赋予模型材料属性；设置模型的初始值和边界条件；划分网格并计算；改变边界电流条件通过COMSOL软件进行计算并比较，得出热电器件最佳电流下的工作状态，对得出的结果进行后处理。实现对不同结构热电器件工作时的温度场进行数值模拟，探索热电器件的温度场分布规律，缩减实验成本和时间，为热电器件的结构优化提供理论指导和技术支持。
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公开(公告)号：CN105445638A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510794574.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明提供了一种探测雪崩效应的原位装置及其探测方法，原位装置包括基底、基底表面绝缘层、金属电极和探测电压表，基底表面绝缘层原位生长在基底表面，金属电极包括第一电极和第二电极，均位于基底表面绝缘层上且均位于基底的中心线位置，探测电压表的两端分别与第一电极和第二电极连接，第一电极和第二电极通过基底及探测电压表形成一个探测回路。探测方法包括：将探测雪崩效应的原位装置与雪崩效应区连接；在雪崩效应区输入电流大小可变的稳恒电流；逐步增加稳恒电流大小，通过探测雪崩效应的原位装置的探测电压表观察电压脉冲现象。本发明具有准确探测雪崩效应放电具体过程并能检测肖特基结质量的优点，可用于探测多种雪崩效应器件。
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公开(公告)号：CN202903719U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220521978.9
申请日：2012-10-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本实用新型提供一种用于快速准确测量湿敏传感器的响应恢复时间的滑动湿度氛围切换装置。包括有多个不同湿度氛围的腔室，所述的腔室采用硬质惰性材料制成，其侧壁上开有孔，孔内插入有贯通多个腔室并可来回抽动的滑动管，滑动管内安装有样品台，样品台表面贴有湿度传感器，并在滑动管的管壁对应样品台的位置开有孔，使湿度传感器与腔室内的空气充分接触，所述的湿度传感器通过导线与外部的传感器特性测试仪器相连接。此装置结构简单，成本低廉，具有很好的可拓展性，在滑动过程中传感器不会接触外部空气，也不会引起各个湿度氛围的气氛交换，能够保证所测传感器响应恢复时间的准确性。
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