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公开(公告)号：CN111533572A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010382303.X
申请日：2020-05-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/10 , C04B35/565 , C04B35/634 , B01D65/00 , B01D71/02
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷支撑体的制备方法，首先以混合碳化硅粉体、二氧化硅粉体、发泡剂、分散剂和热固型聚合物乳液为主要原料，混合均匀得高固含碳化硅浆料，再经浇筑、无压烧结成型而成；其中混合碳化硅粉体由粗粒径碳化硅粉体和细粒径碳化硅粉体混合而成。所述多孔碳化硅陶瓷支撑体，具有强度高、耐高温和耐酸碱腐蚀等优点，可根据工艺需求设计不同规格、不同形状结构的分离膜材料的陶瓷基体，也可作为大颗粒物质的分离过滤材料单独使用；且涉及的制备方法简单、工艺控制灵活、成本较低，成型工艺周期短，具有重要的应用推广价值。
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公开(公告)号：CN109206138A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811255499.5
申请日：2018-10-26
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B35/573 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法。本发明的一种高球形度的碳化硅颗粒的制备方法，包括如下步骤：1)将碳化硅粉末和氮化硅粉末按质量比1：0.6～1.5混合；2)将步骤1)将所述混合粉末清洗后干燥；3)将步骤2)处理所得混合粉末装入石墨匣钵，盖上石墨基片，进行真空烧结，得碳化硅颗粒。本发明的方法采用的原料简单易得，有利于降低成本，涉及的处理步骤简便，操作性强，处理的碳化硅颗粒球形度高、尺寸均一、表面光滑且无杂质，且在得到的碳化硅颗粒的同时也在石墨基板上沉积了碳化硅薄膜，有利于节能降耗。
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公开(公告)号：CN104788034B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510184278.3
申请日：2015-04-17
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B22/14
Abstract: 本发明涉及一种磷石膏基高能长效膨胀剂的制备方法，将无水磷石膏，可溶性磷石膏，轻烧氧化镁，死烧氧化镁，偏高岭土，硅酸钠按照质量比50～100：50～100：20～40：30～60：100～150：2～5均匀混合，制得磷石膏高能长效膨胀剂。本发明的效益在于：可以实现在不同时间，长时间的膨胀。此外，此膨胀剂中含有多种膨胀组分，膨胀能高。综合作用下，可以实现高能长效膨胀。具体性能如下表所示，由结果可知，该膨胀剂膨胀率高，对混凝土强度影响小，并且以本发明膨胀剂掺量3.5％为例，其90d和180d的限制膨胀率分别为1.20％和1.21％，说明具有长期的体积稳定性能。
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公开(公告)号：CN105924231A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610286434.1
申请日：2016-05-03
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: C04B41/86 , C03C8/00 , C04B41/5022
Abstract: 本发明涉及电瓷绝缘子领域，具体涉及一种耐磨电瓷釉及其制备方法。一种耐磨电瓷釉，其特征在于它由电瓷釉料和纳米～亚微米粒径的无机耐磨粒子制备而成，电瓷釉料与纳米～亚微米粒径的无机耐磨粒子的质量比为100：1～8；上述电瓷釉料按干料质量计。本发明可提高电瓷表面釉层的耐磨性，应对大风沙的恶劣自然环境，同时避免更改企业现行生产工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104261868B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410491594.0
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)素胚的成型；2)膜层的涂覆；3)烧结。本发明的有益效果在于：本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点，制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料，在高温使用环境，比如高温气固分离、高温液固分离、高温催化载体等方面具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104261867A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410489556.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)碳化硅素胚的成型；2)碳化硅膜层的涂覆；3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结。本发明的有益效果在于：由于碳化硅相比氧化铝、堇青石、莫来石等具有良好的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，本发明提出由细颗粒的碳化硅作为粘结剂，将大颗粒的碳化硅作为骨料，复合造孔剂等材料，形成一种纯碳化硅多孔陶瓷膜材料，必将大幅提升膜材料的耐高温、耐腐蚀和抗热震性能，极大的拓宽了无机陶瓷膜的使用范围和在严酷条件下的使用寿命，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102637889B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210123116.5
申请日：2012-04-25
Applicant: 武汉工程大学
IPC: H01M8/10
Abstract: 本发明涉及采用微波等离子体制备饱和氮杂硅酸镧固体电解质薄膜的方法，包括有以下步骤：1）取TEOS和La2O3，加入乙醇和硝酸加热溶解，再加入去离子水制成混合溶液；2）氨水调节pH值，加热搅拌，水浴加热得到均匀溶胶；3）旋涂在玻璃片上，干燥，得到凝胶薄膜；4）将凝胶薄膜放入马弗炉中煅烧，退火，得到初级薄膜；5）将初级薄膜放入微波等离子体化学气相沉积装置中，抽真空，微波功率500～800W反应，得到次级薄膜；6）将次级薄膜，进行烧结，即得。本发明的有益效果是:提高了电解质的电导率，同时氮掺杂降低了电解质的工作温度（500℃～800℃），所得产品具有低活化能和高氧离子电导率，高效、无污染。
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公开(公告)号：CN102701735A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210187485.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/185 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种锆英石/氧化铝制备稳定氧化锆/莫来石复相陶瓷的方法，以工业级ZrSiO4和Al2O3为原料，在添加Y2O3的条件下，以乙醇为球磨介质，将各原料在行星磨中球磨1h～5h，取出干燥后用研钵研磨；所得混合料以30～200Mpa的压力单轴向模压成型，保压3～5min，将所得素坯烧结，保温，即可得到稳定氧化锆/莫来石复相陶瓷材料。本发明具有原料价廉、工艺简单、产物纯度高、综合性能高和可重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN102637889A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210123116.5
申请日：2012-04-25
Applicant: 武汉工程大学
IPC: H01M8/10
Abstract: 本发明涉及采用微波等离子体制备饱和氮杂硅酸镧固体电解质薄膜的方法，包括有以下步骤：1）取TEOS和La2O3，加入乙醇和硝酸加热溶解，再加入去离子水制成混合溶液；2）氨水调节pH值，加热搅拌，水浴加热得到均匀溶胶；3）旋涂在玻璃片上，干燥，得到凝胶薄膜；4）将凝胶薄膜放入马弗炉中煅烧，退火，得到初级薄膜；5）将初级薄膜放入微波等离子体化学气相沉积装置中，抽真空，微波功率500～800W反应，得到次级薄膜；6）将次级薄膜，进行烧结，即得。本发明的有益效果是:提高了电解质的电导率，同时氮掺杂降低了电解质的工作温度（500℃～800℃），所得产品具有低活化能和高氧离子电导率，高效、无污染。
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公开(公告)号：CN113772646B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111158294.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01B25/234 , C01B25/222 , C01F11/46
Abstract: 本发明涉及一种湿法磷酸两级膜深度净化工艺，包括以下步骤：将湿法磷酸进行预处理，得到预处理湿法磷酸；预处理过程具体为：将湿法磷酸依次进行除氟除硅、脱硫、脱砷脱重金属和除TOC处理；通过超滤膜对预处理湿法磷酸进行过滤，得到超滤膜过滤清液A和超滤膜过滤浓缩液B；通过纳滤膜对稀释后的超滤膜过滤清液A进行过滤，得到纳滤膜过滤清液C及纳滤膜过滤浓缩液D。本发明采用两级膜深度净化工艺，超滤前经预处理，超滤后将酸液稀释后纳滤，保证了通量稳定，同时最终经纳滤得到的磷酸清液达到了食品级磷酸标准；本发明无需使用有机溶剂，对环境无污染；在两级膜深度净化的过程中，不需要高温高压的反应条件，整个过程不涉及危险操作。
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