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公开(公告)号：CN108623302A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810670156.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/00
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/0072 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/442 , C04B2235/94 , C04B2235/95
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2-10μm，直径为60-800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108516823A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810668010.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6567 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3-0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数 =353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN104891989B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201510244734.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。
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公开(公告)号：CN107032784A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710301047.5
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/45
Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料，配方为：0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3；通过LiBiO3的辅助烧结，结合Bi的变价，在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+，诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位)，结合交直流极化工艺，产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能，稳定性好，绿色环保，可在超声换能器领域使用。
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公开(公告)号：CN104944944A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510301889.1
申请日：2015-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6J/cm3之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104891988A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510244660.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。
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公开(公告)号：CN104876564A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510244452.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷及其制备方法，其中：Me为Zr、Ti、Sn、Mn中的一种，Ae为Na、Li、K中的一种，Re为Sm、Nd、Gd、Dy中的一种，0.05≤x≤0.5。先采用传统合成技术合成(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3粉体，然后采用高温高压烧结技术制备(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷。本发明制备的高介电微波陶瓷，其介电常数（εr）介于75~190，品质因子与谐振频率的乘积（Q.f）介于4000~12000GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于-150~250ppm/℃且可基于成分调节Tcf至近零。
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公开(公告)号：CN108558391B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN108516823B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810668010.0
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN109013814A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811078960.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置，包括抑制回弹辅助装置、轨道传送装置、核心冲压装置和上位机，在常规的冲压工艺结束后，增加了一项横向抑制回弹工骤，通过第一动力机构驱动螺杆转动，螺杆转动驱动滑动座滑动，从而驱动第一定位销向第二定位销靠拢，在上位机和测距模块的控制下，精确控制进给量，通过第一定位销与第二定位销对成型后的波形片的子片的两装配孔施加压力，从而驱动波形片上两个装配孔靠近，配合挤压板模块对波形片的子片进行二次挤压，最终实现抑制波形片回弹的目的。
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