公开(公告)号：CN103342466A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310262140.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  宋俊 ,  刘涛涌 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。

公开(公告)号：CN103274684A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310235066.4

申请日：2013-06-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周秀娟 ,  周昌荣

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。

公开(公告)号：CN103172370A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310081345.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  成钧 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249659B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  岑侦勇 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(Bi1-zMz)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0

公开(公告)号：CN102005273A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN115229144B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210935793.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  朱伟豪 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  程帅 ,  赵景泰

IPC: B22D11/06 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  H01F1/01 ,  H01F1/147 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。

公开(公告)号：CN112239670B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202011062060.8

申请日：2020-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 薛小刚 ,  瞿森林 ,  袁欣 ,  李钰 ,  张小文 ,  袁昌来

IPC: C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/00 ,  C09D11/50 ,  B01J27/057 ,  C01B3/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：S1：制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液；制备CuInSe2量子点前驱体溶液；制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液，采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹，近红外发光，本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层，具有较长的寿命，且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能，量子点具有优异的光催化性能。

公开(公告)号：CN114873993A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210503855.0

申请日：2022-05-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  张峻豪 ,  覃浩 ,  蒙柳方 ,  刘飞 ,  丁国安 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷及其制备方法，先按照一定质量比称量PPO和H3BO3后，将PPO、H3BO3粉体与无水乙醇、锆球按照预设的质量比放置于球磨机中湿法球磨，制备出浆料；将所得浆料烘干，并通过网筛将混合粉体与锆球分离，从而得到H3BO3/PPO粉体；在H3BO3/PPO混合粉体中喷涂纳米BN，将喷涂纳米BN的H3BO3/PPO粉体放置于模具中压制成型后，将得到的圆柱体制品放入热处理设备中致密化烧结，得到具有近室温致密化温度、防潮解、导热的表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷。在(0.6H3BO3‑0.4PPO)+2%BN含量中获得最佳的微波介电性能：εr=2.51，Q׃=12556 GHz，τƒ=‑3 ppm/℃，并获得导热系数~1.21 w/(m·k)，所得复合微波介质陶瓷有效的提高了近室温致密化硼酸陶瓷的防潮性能、导热效能和微波介电特性。

公开(公告)号：CN110877978B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN109704757B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。