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公开(公告)号：CN104270147A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564616.1
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开一种环形振荡器，主要由3个串联的差分延迟单元D1～D3和1个注入单元INJ组成。从第一个延迟单元的输入端到第三个串联延迟单元的输出端实现180度的相移，多个环路反馈减少了延迟时间，进一步提高振荡频率。差分延迟单元具有粗调和细调电路，该粗调电路用于设置最小时延或最大时延，该细调电路用于最小时延和最大时延之间进行调整。注入单元的栅级注入输出信号频率的次谐波信号，改善了振荡器的抖动性能。本发明具有宽频率范围的粗细双调谐功能，电压灵敏度低，减少偏置电压波动影响，能实现了低抖动的输出时钟信号，可应、用于无线接收机频率合成器或时钟数据恢复电路中。
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公开(公告)号：CN110991624B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0442 , G06N3/049 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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公开(公告)号：CN119088162A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411299050.4
申请日：2024-09-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/66
Abstract: 本发明公开一种数字辅助模拟的无片外电容LDO电路，该电路的模拟主环路包括误差放大器、缓冲级电路、模拟功率级电路和VG电压检测电路；数字辅助环路包括数字控制逻辑电路、环形振荡器电路和数字功率级电路。通过引入数字功率调整管，减小了模拟功率管栅极的寄生电容，让栅极极点位于高频，在此基础上加入超级源随器，将极点推向更高频，使得本发明具有较好的环路稳定性。在稳态下，将数字辅助环路禁用，模拟主环路可确保严格的调节、低静态电流以及输出端无开关噪声；在负载电流突变时，调用数字辅助环路中的环形振荡器产生时钟信号，改变数字功率管导通的个数，使得响应时间不受时钟周期的限制，在避免对外部时钟的依赖的同时，保证了电压精度、快速的瞬态响应，降低了电路的静态功耗。
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公开(公告)号：CN118981231A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410418188.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路，由跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块组成。该电路采用米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，能很好的保持电路的稳定性；此外，本发明的LDO提出了一种下冲抑制结构，当输出从轻载向重载突变时，输出电压V0和跨导运算放大器的反馈电压VFB会出现下冲尖峰，下冲尖峰通过环路使得M20栅极电压产生一个向上跳变的电压，使得开关管M20打开，放电通路被导通，功率管MP栅极电压下降，为负载提供电流，输出电压VO恢复正常，该结构能显著减小下冲电压，提高LDO的瞬态响应性能。
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公开(公告)号：CN117155289A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310928731.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种比较器偏移抵消的方波产生电路，包括电流产生电路、充放电电路和比较器，电流产生电路输出的第一充电电流和第二充电电流交替给充放电电路中的第一充电电容和第二充电电容充电，在第一充电电容充电期间，将第一充电电容的电压输入至比较器的反相输入端，而将参考电压输入至比较器的同相输入端，而在第二充电电容充电期间，将第二充电电容的电压输入至比较器的同相输入端，而将参考电压输入至比较器的反相输入端，使得振荡周期与比较器偏移量无关，有效的减小方波产生电路受PVT变化的影响，保证了振荡频率的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116846233A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310762525.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种带阈值补偿的高效CMOS整流电路，该整流电路由两个整流开关MOS管、两个电容、比较器、偏置产生电路、开关控制电路、衬底偏置动态调节电路构成。通过比较器和开关控制电路来决定整流开关MOS管的偏置电压，整流开关MOS管导通时，提供额外的偏置电压来降低开关MOS管的开启电压，整流开关MOS管关断时，取消开关MOS管的偏置电压，从而减小整流开关MOS管的开启电压和反相电流泄露，提高电压转换效率。采用衬底偏置动态调节电路使整流开关PMOS管的衬底连接到漏极和源极之间的最高电位，防止整流开关PMOS管发生闩锁效应，同时减少衬底漏电流，进一步提高整流效率，相比传统外部偏置整流电路的电压转换效率为70％，本发明可获得90％的电压转换效率。
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公开(公告)号：CN108566349B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810115193.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开一种高速低抖动模拟均衡器，由2个负载网络、2个均衡电路、去抖电路和反馈电路组成。高频均衡电路与低频均衡电路呈串联连接架构，产生两个零点和四个极点，使得高频增益与低频增益之间的差值增大，可以对衰减较大的信道形成较好的均衡效果。去抖电路与低频均衡电路呈并联连接架构，高频均衡电路的输出信号通过去抖电路对通过低频均衡电路的信号进行补偿，减小低频均衡电路输出信号的过零抖动。反馈电路取低频均衡电路的输出作为输入，输出对高频均衡电路的输出进行补偿，减小差分信号的零点抖动。本发明具有均衡速率高，对强衰减信道补偿显著，输出信号抖动小的特点。
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公开(公告)号：CN107493022B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201710856659.0
申请日：2017-09-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种低电压高效电荷泵，该电荷泵由栅交叉耦合输入单元和两级动态栅级控制电荷传输开关组成。栅交叉耦合输入单元输入两路互补的时钟信号CLK和NCLK，互补结构有效地控制电路中的电荷传输开关，可以等效成两个并联在一起的、工作状态相反的电荷泵，这两个相对独立的电荷泵交替工作，互相为对方的电荷传输开关提供合适的栅压，并且电路工作在全周期状态。动态栅级控制电荷传输开关：代替普通的MOS开关作为电荷泵转移级，将电荷由前一个泵节点传导至下一个泵节点并借助电容存储。本发明能够显著降低了输入电压，减小了纹波电压值，效率有所提高。
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公开(公告)号：CN107395194B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201710758437.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K5/01
Abstract: 本发明公开一种基于频率转换的电容传感器接口电路，由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。本发明能够有效抑制低频处噪声的影响，仅需要一个输入信号周期，可将频率信号转化为相应的电压信号，减小了输出的延时，极大的提高电容传感器接口电路反应速度。
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公开(公告)号：CN113890335A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111193856.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路，由环形振荡器、缓冲差分电路、2个正负时钟产生电路、电荷泵和整流电路构成。在传统的栅极交叉耦合升压电路中，从缓冲差分电路输出的时钟信号直接作为三级交叉耦合电荷泵的控制时钟。本发明设计了正负电压时钟产生电路，用以对电荷泵中NMOS管在工作和关断时进行衬底的动态偏置，电荷泵中的PMOS管的衬底则由整流电路的输出进行偏置，从而降低了晶体管正向导通和反向导通的损耗，提升了升压效果。
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