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公开(公告)号：CN110991624B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0442 , G06N3/049 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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公开(公告)号：CN116566332A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310372982.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗宽带低噪声放大器，包括偏置电路、输入级放大器、输出级缓冲放大器；所述偏置电路由电流镜组成；所述输入级放大器由电流复用结构、电流分流和跨导增强结构、并联电阻负反馈结构组成；所述输出级缓冲放大电路由共源缓冲结构、电流复用和噪声抵消结构组成。本发明创新型的提出两路电流复用和两路噪声抵消，并采用及间电容抵消。通过上述方式，能够提升电路各路电流的使用效率，在不增加额外的电流情况下，有效提高电路增益和噪声等性能，另一方面的，优化反馈支路，提高增益平坦度，拓展带宽。
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公开(公告)号：CN117032386A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310762536.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26 , H03K17/687 , H03K5/24 , H03K5/01
Abstract: 本发明公开了一种最大电压自动选择电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的最大电压自动选择电路，包括偏置电路、共源共栅电流镜像电路、最大电压比较电路、施密特触发器、最大电压选择开关组成；所述偏置电路由基准电流产生电路和偏置电压产生电路组成；所述共源共栅电流镜像电路采用共源共栅结构；所述最大电压比较电路将输入电压转换成相应的电流，然后自动根据电流的大小对储能电容进行充放电；所述施密特触发器将最大电压比较电路的结果整形后，再去驱动最大电压选择开关；所述最大电压选择开关导通之后将最大电压传到输出端。本发明创新性的使用NMOS管储能电容代替普通金属电容，能大大减少电路的版图面积；将电压比较转成电流比较的方式以及施密特触发器的使用不仅增加了电压比较的速度和精度，也提高了电路的稳定性；基准电流电路和镜像电路产生的电流都在纳安级，因此整个电路的总功耗极小。
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公开(公告)号：CN112117977A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011093608.5
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN112117977B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011093608.5
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116633340A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310762526.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/017 , H03K19/20 , H03K19/094 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种宽范围高速双输出电平移位电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的宽范围高速双输出电平移位电路，NOMS管MN1和NOMS管MN2使用低电压阈值类型的管子，从而较低的输入信号也能使电路开启。另外还引入了瞬态增强结构和正反馈结构，由NMOS管MN3和NMOS管MN4构成的两个瞬态增强结构，在输入电平跳变时实现快速转换，并且在电路稳定之后关闭。由PMOS管MP1和PMOS管MP2构成的正反馈结构，加快了输入电平到输出电平的转换速度。接在NMOS管MN1漏极和NMOS管MN2漏极之间的反相器B进一步加快了MD2节点到达高电平的稳态速度。电阻R1和PMOS管MP3组成的通路能将MD2节点的电平快速拉高，电阻R2和PMOS管MP4组成的通路能将MD1节点的电平快速拉高。NMOS管MN5导通时可以将MD2节点的电平快速拉低。因此，本发明不仅具有宽输入范围和输出快速转换的优势，而且还能同时输出逻辑相反的两个信号。
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公开(公告)号：CN110991624A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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公开(公告)号：CN212969579U
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202022274740.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN219287470U
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202320784302.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种低功耗宽带低噪声放大器，包括偏置电路、输入级放大器、输出级缓冲放大器；所述偏置电路由电流镜组成；所述输入级放大器由电流复用结构、电流分流和跨导增强结构、并联电阻负反馈结构组成；所述输出级缓冲放大电路由共源缓冲结构、电流复用和噪声抵消结构组成。本发明创新型的提出两路电流复用和两路噪声抵消，并采用及间电容抵消。通过上述方式，能够提升电路各路电流的使用效率，在不增加额外的电流情况下，有效提高电路增益和噪声等性能，另一方面的，优化反馈支路，提高增益平坦度，拓展带宽。
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公开(公告)号：CN210666857U
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201921836645.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本实用新型公开一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路，包括4个忆阻器M1、M2、M3和M4，初始化MOS晶体管开关SWINIT，2个接地MOS晶体管开关SWGA和SWGB，权重编程控制MOS晶体管开关SWP，以及信号处理控制MOS晶体管开关SWIN。本实用新型的桥式触突两支路均通过MOS晶体管接地，在权重编程阶段和信号处理阶段两个支路对地电位相等，使得电路更加稳定，消除了工作模式配置电路本身带来的误差。将带有该工作模式配置电路的忆阻器桥式触突应用到神经网络后，两个支路的接地MOS晶体管可以实现共享，在提升神经网络判决精度的同时并不显著增加芯片面积。
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