公开(公告)号：CN113890335B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202111193856.1

申请日：2021-10-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘雨枫 ,  徐卫林 ,  连立卓 ,  陈江宇 ,  刘欣才 ,  谢宁波 ,  苏国骏

IPC: H02M3/07 ,  H03K3/03

Abstract: 本发明公开一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路，由环形振荡器、缓冲差分电路、2个正负时钟产生电路、电荷泵和整流电路构成。在传统的栅极交叉耦合升压电路中，从缓冲差分电路输出的时钟信号直接作为三级交叉耦合电荷泵的控制时钟。本发明设计了正负电压时钟产生电路，用以对电荷泵中NMOS管在工作和关断时进行衬底的动态偏置，电荷泵中的PMOS管的衬底则由整流电路的输出进行偏置，从而降低了晶体管正向导通和反向导通的损耗，提升了升压效果。

公开(公告)号：CN117748947A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202410089791.3

申请日：2024-01-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  苏国骏 ,  李海鸥 ,  李明 ,  蒋品群 ,  陈庆 ,  章金标

IPC: H02M3/07 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/36 ,  H02M1/34

Abstract: 本发明公开一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路，该电路由环形振荡器、差分缓冲电路、正负时钟产生电路、时钟倍增电路和电荷泵主体电路构成。电荷泵主体电路通过反相器结构实现由内部升压得到的高压对PMOS管的栅极进行反向动态控制，能够有效的控制PMOS管通断，有利于减小PMOS晶体管的导通损耗。在PMOS晶体管关断时提高其栅极电压，从而增大其VGS使得PMOS管更有效的关断，达到减小其反向电荷的目的。同时，采用正负时钟产生电路用以对电荷泵中NMOS管在导通和关断时进行动态的衬底偏置，在NMOS晶体管导通时降低其阈值电压有利于减小NMOS晶体管的导通损耗，在NMOS晶体管关断时提高其阈值电压可以更有效的减小其反向电荷。PMOS晶体管衬底通过控制信号进行体偏置实现同样的效果，从而减小了电荷泵的功耗，提升了泵浦效率。

公开(公告)号：CN113890335A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111193856.1

申请日：2021-10-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘雨枫 ,  徐卫林 ,  连立卓 ,  陈江宇 ,  刘欣才 ,  谢宁波 ,  苏国骏

IPC: H02M3/07 ,  H03K3/03

Abstract: 本发明公开一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路，由环形振荡器、缓冲差分电路、2个正负时钟产生电路、电荷泵和整流电路构成。在传统的栅极交叉耦合升压电路中，从缓冲差分电路输出的时钟信号直接作为三级交叉耦合电荷泵的控制时钟。本发明设计了正负电压时钟产生电路，用以对电荷泵中NMOS管在工作和关断时进行衬底的动态偏置，电荷泵中的PMOS管的衬底则由整流电路的输出进行偏置，从而降低了晶体管正向导通和反向导通的损耗，提升了升压效果。

公开(公告)号：CN216819709U

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202220562859.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  苏国骏 ,  连立卓 ,  康彦鑫 ,  刘欣才 ,  刘雨枫 ,  陈江宇

IPC: H02M3/07

Abstract: 本实用新型公开一种三倍压指数函数开关电容升压电路，由2个以上结构相同的升压级级联而成。每一升压单元包含三个电容和七个开关管，通过控制开关管的导通与关断对三个电容进行有规律的充放电。使每一级的输出电压幅值约等于每一级的输入电压幅值的三倍，将多个这样的三倍压单元结构进行串接，可以组成三倍压指数函数开关电容升压电路。相比于传统的二倍压指数函数开关电容升压电路，本实用新型可以在相同级数下获得更高的输出电压，或者可以用更少的级数来达到相同的升压效果，能效更高并节省芯片面积。

公开(公告)号：CN221886296U

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202420156577.0

申请日：2024-01-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  苏国骏 ,  李海鸥 ,  李明 ,  蒋品群 ,  陈庆 ,  章金标

IPC: H02M3/07 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/36 ,  H02M1/34

Abstract: 本实用新型公开一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路，该电路由环形振荡器、差分缓冲电路、正负时钟产生电路、时钟倍增电路和电荷泵主体电路构成。电荷泵主体电路通过反相器结构实现由内部升压得到的高压对PMOS管的栅极进行反向动态控制，能够有效的控制PMOS管通断，有利于减小PMOS晶体管的导通损耗。在PMOS晶体管关断时提高其栅极电压，从而增大其VGS使得PMOS管更有效的关断，达到减小其反向电荷的目的。同时，采用正负时钟产生电路用以对电荷泵中NMOS管在导通和关断时进行动态的衬底偏置，在NMOS晶体管导通时降低其阈值电压有利于减小NMOS晶体管的导通损耗，在NMOS晶体管关断时提高其阈值电压可以更有效的减小其反向电荷。PMOS晶体管衬底通过控制信号进行体偏置实现同样的效果，从而减小了电荷泵的功耗，提升了泵浦效率。

公开(公告)号：CN216016718U

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202122464036.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘雨枫 ,  徐卫林 ,  连立卓 ,  陈江宇 ,  刘欣才 ,  谢宁波 ,  苏国骏

IPC: H02M3/07 ,  H03K3/03

Abstract: 本实用新型公开一种基于正负时钟产生电路的亚阈值升压电路，由环形振荡器、缓冲差分电路、2个正负时钟产生电路、电荷泵和整流电路构成。在传统的栅极交叉耦合升压电路中，从缓冲差分电路输出的时钟信号直接作为三级交叉耦合电荷泵的控制时钟。本实用新型设计了正负电压时钟产生电路，用以对电荷泵中NMOS管在工作和关断时进行衬底的动态偏置，电荷泵中的PMOS管的衬底则由整流电路的输出进行偏置，从而降低了晶体管正向导通和反向导通的损耗，提升了升压效果。