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公开(公告)号：CN117044403A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180090208.5
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置(SM)用阴极单元(CU)及磁控溅射装置，其不会导致等离子体的局部消失等，可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀，可提高靶的利用效率。设置在真空室(1)内配置的靶(41～44)的背对溅射面一侧上的磁铁单元(51～54)改变靶侧极性地具备线状中央磁铁(52)和包围中央磁铁周围的周边磁铁(53)，所述周边磁铁具有直线部(53a，53b)和跨接两直线部的两自由端的跨接部(53c)，以通过磁场的垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏的磁场(Mf)，在维持周边磁铁的姿态的状态下，根据中央磁铁的靶侧极性，使中央磁铁的两端部分分别移位到周边磁铁的彼此不同的直线部侧。
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公开(公告)号：CN111902562B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201980019108.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种在基板表面形成氧化铟基氧化物膜时，可抑制基板的X轴方向上的薄膜质量不均一的成膜方法。本发明的成膜方法，以在基板(Sw)面内彼此正交的方向为X轴方向和Y轴方向，在真空处理室(11)内使基板和与该基板相比X轴方向长度更长的靶(Tg1～Tg8)彼此同心相对配置，向真空气氛中的真空处理室内分别导入稀有气体和氧气，通过对各靶施加电力以等离子体气氛中的稀有气体的离子对靶进行溅射，从而在基板表面形成氧化铟基氧化物膜。从第一位置和第二位置中的至少一个向基板导入氧气，其中，以从靶侧朝向基板的方向为上，所述第一位置是X轴方向上基板端区域(Sa)正下方的位置，所述第二位置是在X轴方向上从基板端(Se)向靶端延伸的延展区域(Ea)正下方的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101589170B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200780042641.1
申请日：2007-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的磁控管溅镀电极以及配置有该磁控管溅镀电极的溅镀装置具有以下效果：在磁控管溅镀装置中可均匀地腐蚀阴极靶的外周缘部，阴极靶的利用效率高，此外，不易产生异常放电，可形成良好的薄膜。在与处理基板相向配置的阴极靶(42)的后面配置有磁铁组合件(5)，该磁铁组合件(5)具有沿长度方向线性配置的中央磁铁(52)，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁(53)，用以改变阴极靶一侧的极性。此时，在该磁铁组合件的长度方向端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的呈隧道形的各磁力线中磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧局部性移位。
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公开(公告)号：CN102097270A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010580566.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J23/087 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。
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公开(公告)号：CN101657562B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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公开(公告)号：CN101657562A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011831.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/228
Abstract: 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时，可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有：在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a～31d)；可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2)；可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b)，该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时，具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
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公开(公告)号：CN101589170A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780042641.1
申请日：2007-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 在磁控管溅镀装置中可均匀地腐蚀阴极靶的外周缘部，阴极靶的利用效率高，此外，不易产生异常放电，可形成良好的薄膜。在与处理基板相向配置的阴极靶(42)的后面配置有磁铁组合件(5)，该磁铁组合件(5)具有沿长度方向线性配置的中央磁铁(52)，以及以围绕中央磁铁的形态配置的周边磁铁(53)，用以改变阴极靶一侧的极性。此时，在该磁铁组合件的长度方向端部，使产生于中央磁铁和周边磁铁间的呈隧道形的各磁力线中磁场的垂直成分为0的位置在一定范围内向中央磁铁一侧局部性移位。
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