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公开(公告)号：CN111279466B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201880069502.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
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公开(公告)号：CN111902899B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980021921.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/30 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
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公开(公告)号：CN114127972A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051528.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L49/02
Abstract: 提供抑制介电膜的绝缘破坏强度的降低(介电膜的耐电压性的劣化)的半导体装置。半导体装置具备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板、配置在第一主面的一部分上的介电膜、配置在介电膜的一部分上的第一电极层、以及从第一电极层的端部连续地覆盖到介电膜的第一外周端的保护层。介电膜具有配置有第一电极层的电极层配置部、和被保护层覆盖的保护层覆盖部。介电膜的保护层覆盖部的第一外周端的厚度比介电膜的电极层配置部的厚度小。保护层具有连续地覆盖第一电极层的第二外周端和保护层覆盖部的至少一部分的第一保护层、和配置在第一保护层上的第二保护层。第一保护层具有比第二保护层低的相对介电常数。第二保护层具有比第一保护层高的耐湿性。
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公开(公告)号：CN114008767A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080045558.5
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制在覆盖介电膜的端部周边的保护层产生裂缝，并抑制由产生裂缝引起的介电膜的绝缘破坏强度的降低。半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；介电膜，配置于第一主面的一部分；第一电极层，配置于介电膜的一部分；以及保护层，从第一电极层的端部遍及上述介电膜的外周端连续地覆盖。介电膜具有：电极层配置部，配置有第一电极层；以及保护层覆盖部，被保护层覆盖。介电膜的保护层覆盖部的外周端处的厚度小于介电膜的电极层配置部的厚度。
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公开(公告)号：CN111989850A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026023.0
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H02M1/34
Abstract: CR缓冲元件(100)具备第一电阻部(110)、第一电容部(120)、第二电阻部(130)以及第二电容部(140)。第一电容部(120)与第一电阻部(110)串联地连接。第二电阻部(130)与第一电阻部(110)和第一电容部(120)串联地连接。第二电容部(140)与第二电阻部(130)并联地连接。CR缓冲元件(100)构成为在第一电容部(120)短路时，第二电阻部(130)断开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111279466A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069502.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
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公开(公告)号：CN111033656A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053659.X
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器(1)具有：基材(11)，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面(111)和第2主面(112)；有底的第1沟道部(14a)，其形成于基材(11)的第1主面(111)；第1导体部(14)，其形成于第1沟道部(14a)内；第1外部电极部(12)，其形成于基材(11)的第1主面(111)侧，并与第1导体部(14)连接；有底的第2沟道部(15a)，其形成于基材(11)的第2主面(112)；第2导体部(15)，其形成于第2沟道部(15a)内；以及第2外部电极部(13)，其形成于基材(11)的第2主面(112)侧，并与第2导体部(15)连接，第1沟道部(14a)与第2沟道部(15a)重叠。
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公开(公告)号：CN207572353U
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201690000755.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
Abstract: 本实用新型的目的在于提供防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损且可靠性高的薄膜器件。在电阻薄膜(12)中的俯视时与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分，由第一金属薄膜(15a～15c)将电阻薄膜(12)压向基板(1)，所以能够缓和由于在高温状态下树脂层(3)膨胀而施加给薄膜电阻元件(R1、R2)的弯曲应力等，由于在电阻薄膜(12)中的俯视时不与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分形成有第一加强用薄膜(12a)，所以能够防止由于树脂层(3)膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件(R1、R2)破损，能够得到可靠性高的带薄膜电阻元件(R1、R2)的薄膜器件(100)。
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公开(公告)号：CN208240501U
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201690001386.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本实用新型涉及薄膜器件。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成扩散层，防止薄膜缓冲层的剥离。薄膜器件(1)具备：绝缘基板(2)；薄膜电容器(5)，隔着层叠于该绝缘基板的一个主面上的薄膜缓冲层(4)而设置于绝缘基板；绝缘保护层(6)，层叠于绝缘基板的一个主面以覆盖薄膜电容器；从薄膜电容器引出的引出电极(7a及7b)；外部电极(8a及8b)；以及表面覆盖层(9)，覆盖薄膜器件的表面。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成有扩散层(3)。另外，外部电极与薄膜电容器经由引出电极电连接。扩散层是在绝缘基板的表面的SiO2氧化膜与薄膜缓冲层之间SiO2氧化膜和薄膜缓冲层的构成元素中的至少一种元素分别扩散而形成的非晶层。
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公开(公告)号：CN207425835U
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201690000491.2
申请日：2016-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L27/0255 , H01L27/04 , H01L28/20 , H01L28/90
Abstract: 本实用新型目的在于提供防止由于因树脂层膨胀产生的应力而使薄膜电阻元件破损从而能够得到可靠性高的薄膜器件的技术。通过在配置于树脂层(3)的与基板(1)相反的一侧的树脂层(4)形成为在俯视中与薄膜电阻元件(电阻薄膜(12))重叠的第一束缚用薄膜(14)，能够将薄膜电阻元件相对于基板(1)压入，因此能够缓和由于在高温状态下树脂层(2～4)膨胀而施加于薄膜电阻元件的弯曲应力，能够防止由于因树脂层(2～4)的膨胀产生的应力而使薄膜电阻元件破损。
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