-
公开(公告)号：CN103794612B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410074885.X
申请日：2010-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1207 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体装置，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
-
公开(公告)号：CN103913707B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310739246.6
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01R31/3617 , G01R1/203 , G01R19/25 , G01R31/3613 , G01R31/3696
Abstract: 本发明提供一种用于测量二次电池的充电电容等的库仑计。在二次电池的充电或者放电中所产生的电流通过电阻器转换为电压，并由放大电路进行放大。由放大电路放大后的电压被电压电流转换电路转换为电流，并输入到累积加法电路。累积加法电路利用从电压电流转换电路输入的电流对电容元件充电，并生成对应于电容元件中所产生的电压的信号。该电容元件的一个端子通过开关连接到电压电流电路的输出端，另一个端子被施加恒电位。通过开关的导通和截止对电容元件的电荷的供应和该电荷的保持进行控制。
-
公开(公告)号：CN104681079B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510081061.X
申请日：2010-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/405 , G11C11/56 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/105 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1052 , G11C5/06 , G11C7/12 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/565 , G11C16/0408 , G11C16/10 , G11C2211/4016 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/263 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。
-
公开(公告)号：CN107045235A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610889237.9
申请日：2011-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2001/136295 , G02F2202/10 , G09G3/3622 , G09G2300/0426 , H01L27/1225 , H01L27/1244 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为“液晶显示装置”。本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。
-
公开(公告)号：CN106972031A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710232434.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1259 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L27/12 , G02F1/1362 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置、EL显示装置以及其制造方法。本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示装置的制造工序中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光刻工序及蚀刻工序，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。具体地说，通过形成栅电极的工序、形成用来减少蚀刻工序等所造成的损伤的保护层的工序、形成源电极及漏电极的工序、形成接触孔的工序、形成像素电极的工序的五个光刻工序制造液晶显示装置。并且本发明的一个方式的液晶显示装置具有在形成接触孔的工序同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106356086A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610685610.9
申请日：2011-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 存储设备和半导体设备。本发明实施例的一个目的是提出一种存储设备，在其中确保了数据保持的时间段，且每单位面积的存储容量得以增加。在根据本发明实施例的存储设备中，位线被分为多组，字线也被分为多组。分配给一组的字线被连接到存储单元，该存储单元连接到分配给一组的位线。此外，每组位线的驱动是由多个位线驱动电路中的专用位线驱动电路来控制的。此外，在驱动电路上形成单元阵列，所述驱动电路包括上述多个位线驱动电路和一个字线驱动电路。驱动电路和单元阵列彼此交叠。
-
公开(公告)号：CN103765776B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280042417.3
申请日：2012-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H03K3/356 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286
Abstract: 一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管；以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管。第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
-
公开(公告)号：CN106026245A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610422736.7
申请日：2011-02-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J7/0054 , B60L11/007 , B60L11/182 , B60L11/1833 , B60L2200/10 , B60L2200/12 , B60L2200/26 , H02J7/025 , H02J7/1407 , H02J17/00 , H02J50/10 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/90 , Y02T10/7005 , Y02T10/7072 , Y02T90/12 , Y02T90/121 , Y02T90/122 , Y02T90/125 , Y02T90/14 , H02J7/00 , H01M10/44
Abstract: 本发明涉及一种汽车。本发明的目的之一是提供可以减少以无线方式从馈电设备向移动体供电时的电力损耗的移动体结构。此外，本发明的目的之一是提供能够将辐射到周围的电波的强度抑制得低的移动体结构。在具有多个天线的移动体中接收从馈电设备发送的电波。上述多个天线中的至少一个设置成与移动体中的其它天线分离。而且，使用所有上述多个天线接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。或者，使用选自上述多个天线中的任一个或多个接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。
-
公开(公告)号：CN102648490B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201080053977.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1368 , G09G3/20
CPC classification number: G09G5/005 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , G09G3/3659 , G09G3/3677 , G09G2320/103 , G09G2360/10 , H01L27/1225
Abstract: 液晶显示设备包括：包括供应有图像信号的多个像素的像素部分；包括选择性地控制信号线的信号线驱动电路和选择性地控制栅极线的栅极线驱动电路的驱动电路；存储图像信号的存储器电路；比较存储在像素中的存储器电路内的图像信号并检测差异的比较电路；以及根据该差异控制驱动电路并读取图像信号的显示控制电路。显示控制电路只将图像信号供应给检测到该差异的像素。像素包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层。
-
公开(公告)号：CN102163862B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110039854.7
申请日：2011-02-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J7/0054 , B60L11/007 , B60L11/182 , B60L11/1833 , B60L2200/10 , B60L2200/12 , B60L2200/26 , H02J7/025 , H02J7/1407 , H02J17/00 , H02J50/10 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/90 , Y02T10/7005 , Y02T10/7072 , Y02T90/12 , Y02T90/121 , Y02T90/122 , Y02T90/125 , Y02T90/14
Abstract: 本发明的目的之一是提供可以减少以无线方式从馈电设备向移动体供电时的电力损耗的移动体结构。此外，本发明的目的之一是提供能够将辐射到周围的电波的强度抑制得低的移动体结构。在具有多个天线的移动体中接收从馈电设备发送的电波。上述多个天线中的至少一个设置成与移动体中的其它天线分离。而且，使用所有上述多个天线接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。或者，使用选自上述多个天线中的任一个或多个接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
852
records
(took 0.071 seconds)
