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公开(公告)号：CN101064347B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710100942.7
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号：CN102460722A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025869.1
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , B60T1/10 , H01L31/03685 , H01L31/03926 , H01L31/043 , H01L31/048 , H01L31/0488 , H01L31/0687 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以用简单的方法制造的多结光电转换装置。此外，提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。本发明的一种光电转换装置，包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；具备将第一单元及第二单元彼此牢固地接合并电连接的纤维体的结构体。其结果，可以提供一种确保pin结和pin结之间的充分的电连接并使半导体结串联连接的多结光电转换装置。
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公开(公告)号：CN102270315A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110104531.1
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q9/04 , H01Q23/00
CPC classification number: H01Q9/0407 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L2223/6677 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01M10/0436 , H01M10/465 , H01M2220/30 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。
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公开(公告)号：CN101577280A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910006746.2
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/60 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L27/124 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的目的在于减少保护电路的占有面积。本发明的目的还在于提高含保护电路的显示装置的可靠性。本发明的保护电路包括衬底上的第一布线、第一布线上的绝缘膜以及绝缘膜上的第二布线。
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公开(公告)号：CN1734776A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734736A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091030.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1277 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。
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公开(公告)号：CN102693919B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210162478.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号：CN102693919A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210162478.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号：CN102460721A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025840.3
申请日：2010-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02S40/38 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN1734736B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200510091030.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1277 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。
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