公开(公告)号：CN1054942C

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进行确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1256510A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99118538.2

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制法,它包括,在绝缘表面上形成岛形的含硅半导体膜;在该膜上形成栅绝缘膜;在栅绝缘膜上形成一对栅电极,使半导体膜分别确定一对第一区、第二区和一对第三区域。所述一对第一区中的每一个第一区均介于第二区与一个相邻于一对第三区中的一个区之间;将能促进结晶的催化剂附着在一对第三区上;加热半导体膜至其结晶。晶体生长是从一对第三区通过一对第二区向第一区生长。

公开(公告)号：CN1052110C

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN94103241.8

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  高山彻 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。

公开(公告)号：CN1244039A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99110391.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或将催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1043704C

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN95109338.X

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1215224A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98116322.X

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法,该方法包括:使非晶硅膜结晶化;在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质,粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层,以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火,以激活已掺入的杂质。按另一方案,可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1215223A

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN98116320.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦 ,  高山彻 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触,或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜,使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT,从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1041973C

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN94119925.8

申请日：1994-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  竹村保彦 ,  山口直明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种制造半导体器件，包括步骤：在半导体层上形成第一绝缘膜，在绝缘膜上形成栅电极，将第一绝缘膜刻图成为第二绝缘膜，使半导体层一部分露出，而第二绝缘膜的延伸部分超过栅电极的侧边，用栅电极和栅绝缘膜的延伸部分作掩模进行离子掺杂，形成杂质区。改变离子掺杂条件来控制掺入杂质的半导体层的区域和其中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1206225A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩陈和液晶显示器,其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT,其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说,令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1145533A

公开(公告)日：1997-03-19

申请号：CN96103218.9

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  Y10S438/911

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。