公开(公告)号：CN1113409C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/84 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1108804A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1054942C

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进行确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1206225A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩陈和液晶显示器,其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT,其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说,令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1045688C

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN94112771.0

申请日：1994-12-27

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  森田达夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。

公开(公告)号：CN1109213A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94112771.0

申请日：1994-12-27

Applicant: 夏普公司

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  山元良高 ,  森田达夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016

Abstract: 本发明之半导体膜的制造方法，包含：(a)于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；(b)将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；(c)借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；(d)使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。