公开(公告)号：CN1054942C

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进行确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1206225A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩陈和液晶显示器,其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT,其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说,令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1113409C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/84 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1108804A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。