公开(公告)号：CN105206566B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510578752.0

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN105793994A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu?X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN103794511A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

公开(公告)号：CN101154561A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153241.X

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

Abstract: 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。

公开(公告)号：CN112514079B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN201980050350.X

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN118743327A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380016772.1

申请日：2023-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/30 ,  H10K50/81 ,  H10K50/82

Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括晶体管、发光器件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一至第三导电层、第二及第三绝缘层。第二绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第二绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面、第二导电层的顶面及侧面接触。第三绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第一绝缘层设置在晶体管上。第一及第三绝缘层包括到达第二导电层的第三开口。发光器件设置在第一绝缘层上并包括像素电极、公共电极及EL层。像素电极通过第三开口电连接于第二导电层。EL层具有与像素电极的顶面及侧面接触的区域。

公开(公告)号：CN117397045A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280034866.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  中泽安孝 ,  白石孝 ,  佐藤来 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。

公开(公告)号：CN115172467A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210637773.5

申请日：2017-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  肥冢纯一 ,  羽持贵士 ,  保坂泰靖

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12

Abstract: 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。

公开(公告)号：CN114361180A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111285522.7

申请日：2016-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  岛行德

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN105793994B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。