-
公开(公告)号：CN101719493A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910204759.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G02F1/167 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: G02F1/136204 , H01L27/0248 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称为显示装置，为了利用包括氧化物半导体的显示装置的性质，具有适当结构和小占用面积的保护电路等是必要的。保护电路使用非线性元件来形成，非线性元件包括：覆盖栅电极的栅绝缘膜；在栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；沟道保护层，覆盖与第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域；以及第一布线层和第二布线层，它们的每个通过堆叠导电层和第二氧化物半导体层并且在第一氧化物半导体层之上形成。栅电极连接到扫描线或信号线，第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极。
-
公开(公告)号：CN100492712C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510059473.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H05B33/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。
-
公开(公告)号：CN105742570A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610297039.3
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/136 , H01M4/485 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/621 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 锂离子二次电池。提供一种具有高放电容量、高能级密度的锂离子二次电池以及其制造方法。锂离子二次电池包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质。正极包括正极集电体及设置正极集电体上的正极活性物质层。在正极活性物质层中，交替设置有石墨烯和含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，其中b轴方向上的长度比a轴方向的长度及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面交叉的方式设置在正极集电体上。
-
公开(公告)号：CN104332472A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410429433.9
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
-
公开(公告)号：CN101719493B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200910204759.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G02F1/167 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: G02F1/136204 , H01L27/0248 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称为显示装置，为了利用包括氧化物半导体的显示装置的性质，具有适当结构和小占用面积的保护电路等是必要的。保护电路使用非线性元件来形成，非线性元件包括：覆盖栅电极的栅绝缘膜；在栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；沟道保护层，覆盖与第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域；以及第一布线层和第二布线层，它们的每个通过堆叠导电层和第二氧化物半导体层并且在第一氧化物半导体层之上形成。栅电极连接到扫描线或信号线，第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443971A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014987.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/136 , H01M4/485 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/621 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种具有高放电容量、高能级密度的锂离子二次电池以及其制造方法。锂离子二次电池包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质。正极包括正极集电体及设置正极集电体上的正极活性物质层。在正极活性物质层中，交替设置有石墨烯和含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，其中b轴方向上的长度比a轴方向的长度及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面交叉的方式设置在正极集电体上。
-
公开(公告)号：CN102160103A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137189.6
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
-
公开(公告)号：CN102160102A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137188.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅绝缘层；在栅绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；与第一氧化物半导体层的沟道形成区域重叠的沟道保护层；以及一对第一布线层和第二布线层，其端部在沟道保护层上与栅电极重叠，并层叠有导电层和第二氧化物半导体层。在栅绝缘层上具有不同性质的氧化物半导体层彼此接合，藉此与肖特基结相比可进行稳定工作。因而，结漏可降低，并且可改善非线性元件的特性。
-
公开(公告)号：CN102150191A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135451.3
申请日：2009-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0266 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一种保护电路，其包括非线性元件，所述非线性元件进一步包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；一对第一及第二布线层，在栅极绝缘层上其端部与栅电极重叠，并且其中层叠导电层和第二氧化物半导体层；第一氧化物半导体层，其至少与栅电极重叠并与栅极绝缘层、第一及第二布线层的导电层的侧面部和第二氧化物半导体层的侧面部及顶面部接触。在栅极绝缘层上，物理性不同的氧化物半导体层彼此接合，从而与肖特基结相比可以执行稳定的操作。因此，可以减少结的泄漏，并可以提高非线性元件的特性。
-
公开(公告)号：CN100474502C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510068687.3
申请日：2005-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.039 seconds)
