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公开(公告)号：CN101753861B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN200910246365.1
申请日：2009-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/1055 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/323 , H01L27/3234
Abstract: 本发明涉及光传感器和显示装置。包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体的薄膜晶体管容易地在大的基板上以矩阵布置，并且具有小的特性变化。通过包括具有小的特性变化的薄膜晶体管的放大器电路和显示元件的驱动器电路，以矩阵布置的光电二极管接收的光的强度分布被高度可再现地转换为电信号并且被输出，并且可以均匀一致地驱动以矩阵布置的显示元件，其中该薄膜晶体管包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN102593366A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022165.X
申请日：2004-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。
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公开(公告)号：CN102157698A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110050775.6
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的目的是提供光的色纯度高而且光输出效率高的发光器件，其中采用溅射法在电致发光层上形成电极而不会损坏包含有机材料的层。本发明提供的发光器件包含：发射红光的第一发光元件；发射绿光的第二发光元件；发射蓝光的第三发光元件；和滤色片，其中滤色片包含选择性透射红光的第一着色层，选择性透射绿光的第二着色层，和选择性透射蓝光的第三着色层，其中第一至第三发光元件中的每一个具有第一电极、在第一电极上形成的电致发光层和在电致发光层上形成的第二电极，其中第一着色层形成于所述第一发光元件的第二电极上，其中第二着色层形成于所述第二发光元件的第二电极上，其中第三着色层形成于所述第三发光元件的第二电极上，其中所述电致发光层包括与第二电极接触的层，而且金属氧化物包含在与第二电极接触的层中，其中所述红光、绿光和蓝光各自从所述第二电极侧输出。
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公开(公告)号：CN100370492C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200380108900.8
申请日：2003-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3267 , G09G3/32 , G09G2300/0443 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2340/0492 , H01L2251/5323
Abstract: 提供一种可两面显示和纵横切换显示的显示装置及其驱动方法。1个像素包括具有第1发光元件的第1区和具有第2发光元件的第2区，将第1区作为下方射出区，第2区作为上方射出区。包括：驱动上述像素的源极信号线驱动电路、具有和上述源极信号线驱动电路垂直的扫描方向的第1栅极信号线驱动电路、以及具有和上述第1栅极信号线驱动电路垂直的扫描方向的第2栅极信号线驱动电路，在通常显示时，利用第1栅极信号线驱动电路进行垂直扫描，在纵横切换显示时，利用第2栅极信号线驱动电路进行垂直扫描。
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公开(公告)号：CN101030626A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710087631.1
申请日：2007-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012
Abstract: 旨在提供具有高发光效率的发光元件，它包括第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的发光层，其中发光层包含基底材料、第一杂质成分、第二杂质成分和有机化合物；基底材料是包含属于周期表第2族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物、或者是包含属于周期表第12族的元素和属于周期表第16族的元素的无机化合物；第一杂质成分是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、砷(As)、磷(P)或钯(Pd)中的任一种；而第二杂质成分是氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或铊(Tl)中的任一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1604696A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083573.1
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/5262 , H01L51/5284 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明的目的是提供光的色纯度高而且光输出效率高的发光器件，其中采用溅射法在电致发光层上形成电极而不会损坏包含有机材料的层。本发明提供的发光器件包含：发射红光的第一发光元件，发射绿光的第二发光元件，发射蓝光的第三发光元件，和滤色片，其中滤色片包含选择性透射红光的第一着色层，选择性透射绿光的第二着色层，和选择性透射蓝光的第三着色层，第一至第三发光元件分别对应于第一至第三着色层，其中第一至第三发光元件中的每一个具有第一电极、在第一电极上形成的电致发光层和在电致发光层上形成的第二电极，且其中电致发光层包括与第二电极接触的层，而且金属氧化物或苯并噁唑衍生物包含在与第二电极接触的该层中。
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公开(公告)号：CN1471065A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03147149.8
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/32 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L33/56 , H01L51/0024 , H01L51/5221 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
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公开(公告)号：CN104733540A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510102867.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN102576736B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046492.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。
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公开(公告)号：CN102598278B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080045729.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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