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公开(公告)号：CN103890955B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201280035577.5
申请日：2012-07-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/08
Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。
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公开(公告)号：CN105991037A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610154604.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33546 , H02M1/08 , H02M3/33584 , H02M2001/0009 , H02M3/335
Abstract: 本发明提供一种电力转换电路系统，通过准确地检测循环电流，使循环电流减少来提高转换效率。具备：电力转换电路，由具备左臂以及右臂的初级侧转换电路和具备左臂以及右臂的次级侧转换电路构成；以及控制电路，控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的开关晶体管的开关。将初级侧转换电路和次级侧转换电路的相位差设为φ，控制电路在从载波计数器的波峰和波谷的时刻中的至少任一个经过了π/2+φ/2的时刻中的至少任一个时刻检测循环电流，并以使得所检测到的循环电流为零的方式进行反馈控制。
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公开(公告)号：CN102376759B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN1890813A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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公开(公告)号：CN105991037B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610154604.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提供一种电力转换电路系统，通过准确地检测循环电流，使循环电流减少来提高转换效率。具备：电力转换电路，由具备左臂以及右臂的初级侧转换电路和具备左臂以及右臂的次级侧转换电路构成；以及控制电路，控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的开关晶体管的开关。将初级侧转换电路和次级侧转换电路的相位差设为φ，控制电路在从载波计数器的波峰和波谷的时刻中的至少任一个经过了π/2+φ/2的时刻中的至少任一个时刻检测循环电流，并以使得所检测到的循环电流为零的方式进行反馈控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106487227A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610736136.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明的电能转换电路具备U相以及V相开关电路、变压器以及α相开关电路。变压器的第一线圈连接在U相开关电路和V相开关电路之间，第二线圈的两端连接在α相开关电路上。α相开关电路包括：正极以及负极端子、具有两个开关元件的半桥电路、和分压电路。半桥电路设在正极端子和负极端子之间，两个开关元件的共同连接点连接在第二线圈的一端上。分压电路的分压输出点连接在第二线圈的另一端上。
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公开(公告)号：CN106026660A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610164647.7
申请日：2016-03-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33546 , H02M3/158 , H02M3/33561 , H02M3/33576 , H02M3/33584 , H02M2001/0032 , H02M2001/0048 , Y02B70/1491 , Y02B70/16
Abstract: 本发明涉及种电力转换电路系统，尤其在轻负载时降低变压器的铁芯损耗，来提高轻负载时的转换效率。具备：电力转换电路，其由具备左臂和右臂的初级侧转换电路以及具备左臂和右臂的次级侧转换电路构成；以及控制电路，其控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的开关晶体管的开关。控制电路在输出电压相对小的轻负载时，变更控制初级侧转换电路和次级侧转换电路中的送电侧的时间比率，并且变更控制初级侧转换电路以及次级侧转换电路的左臂与右臂各自的相间相位差。
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公开(公告)号：CN104868736A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510087324.8
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33584 , H02M3/33561 , H02M2001/0022
Abstract: 提供了一种电力转换电路系统，其具有初级侧电力转换电路、次级侧电力转换电路和控制电路。控制电路基于初级侧和次级侧电力转换电路的关断时段、初级侧和次级侧电力转换电路的死区时间以及电源电压的改变量，设置初级侧电力转换电路的左下臂晶体管与右下臂晶体管之间的半桥相位差和次级侧电力转换电路的半桥相位差中的至少一个，以使得在电力的非传输时段中，初级侧电力转换电路与次级侧电力转换电路之间的电流为零。
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公开(公告)号：CN104716840A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410749188.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F27/006 , H01F27/2823 , H01F2027/2809 , H02M3/1588 , H02M3/33507 , H02M3/33569 , H02M3/33592 , H02M2001/009 , H02M2003/1586 , Y02B70/1466 , Y02B70/1475
Abstract: 一种磁耦合电感器(28、32)，其具有磁耦合的一对绕组(68、70)。在一对绕组(68、70)中流过同相的电流以及反相的电流这二者，并且各绕组均在沿绕组的轴向的一层具有多匝。一对绕组(68、70)的流过相互反相的电流的一层的绕组彼此沿绕组的轴向对置配置。
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公开(公告)号：CN102104074B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010589260.9
申请日：2010-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/32 , H01L21/329 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/32 , H01L29/6609 , H01L29/861 , H01L29/868 , Y10S438/92
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
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