公开(公告)号：CN1160768C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN01124869.6

申请日：2001-08-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中泽孝仁 ,  黑泽哲也 ,  沼田英夫 ,  田久真也

IPC: H01L21/50 ,  B65G49/07 ,  H05K13/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/68318

Abstract: 本发明提供的芯片拾取装置，备有顶推机构、运送机构和控制器。上述顶推机构，从粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接带，顶推单个的芯片，将芯片从粘接带上剥离下来。上述运送机构，在上述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；上述控制器，控制顶推机构的销对芯片的顶推动作，控制该销的上升时间和下降时间，在从上升变化到下降时使其滞留预定的时间。

公开(公告)号：CN102610566B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210017248.X

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黑泽哲也 ,  田久真也 ,  友野章

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。

公开(公告)号：CN1655353A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410058476.7

申请日：2004-08-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  饭冢和宏 ,  桐谷美佳

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 引线焊接到印刷电路板(21)的半导体芯片(22－1)，具有预先形成于其元件形成表面的粘合层(23－1)，并具有从粘合层(23－1)的表面露出的凸起(25－1)。在上述半导体芯片(22－1)上层叠另一半导体芯片(22－2)，在其间设置粘合层(23－1)，并通过引线焊接将另一半导体芯片引线焊接到印刷电路板(21)。同样，在由此获得的半导体结构上顺序层叠至少一个半导体芯片(22－3)以形成叠层MCP。

公开(公告)号：CN102848303A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210069407.0

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  清水纪子 ,  藤田努

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B7/228 ,  H01L21/3043

Abstract: 本发明提供半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。通过实施例公开半导体晶片加工方法。该方法包括以下工序：用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片的背面与所述槽一体地形成凹部的工序；和用第三砂轮进一步对包含由所述第二砂轮研磨出的研磨面的所述凹部的底面进行研磨的工序。

公开(公告)号：CN1667798B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200510053418.X

申请日：2005-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也 ,  黑泽哲也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  Y10T83/041 ,  Y10T225/30

Abstract: 在沿着晶片的劈开面的晶片分割线或切片线上边，形成由沟和贯通孔中的至少一方构成的劈开起点；向上述劈开的起点内注入液状物质；和加上物理性地变化的外部因素使上述液状物质变化，利用该变化劈开上述晶片以分割成一个一个的半导体芯片。

公开(公告)号：CN1282227C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02152988.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  黑泽哲也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：在形成了半导体元件的晶片的元件形成面一侧形成切口；在上述晶片的元件形成面一侧粘贴具有伸展性的表面保护带；以上述切口为起点、沿结晶方位解理上述晶片；以及伸展上述表面保护带，在解理面分开的状态下进行上述晶片的背面磨削。由此，能减少芯片侧面发生的条痕及元件形成面一侧形成的崩裂，并能抑制减薄了厚度的芯片的抗折强度的下降。

公开(公告)号：CN1431684A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN02152988.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  黑泽哲也

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 在形成了半导体元件的晶片的元件形成面一侧形成切口，在上述晶片的元件形成面一侧粘贴表面保护带。其后，以上述切口为起点、沿结晶方位解理上述晶片，进行上述晶片的背面磨削。

公开(公告)号：CN103325733A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310063932.6

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水纪子 ,  田久真也

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B29C65/02 ,  B29C65/48 ,  B29C66/004 ,  B32B7/06 ,  B32B37/26 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B38/185 ,  B32B43/006 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1994

Abstract: 提供一种能够不损伤各基板并在短时间内将经由粘接剂贴合的2张基板分离的方法以及装置。实施方式的基板分离方法，是将在表面的除了周缘部的区域形成有剥离层（16）的第1基板（10）与经由粘接剂层（12）贴合于第1基板（10）的表面的至少包含剥离层（16）的区域的第2基板（14）分离的方法。该方法包括：除去工序，该工序以至少第2基板（14）周缘部正下的粘接剂层（12）表面露出并且在第1基板（10）的周缘部与第2基板（14）之间残存有粘接剂层（12）而保持第1以及第2基板（10、14）之间的粘接的方式，将该第2基板（14）周缘部物理性除去；和溶解工序，该工序在所述除去工序后，将粘接剂层（12）溶解。

公开(公告)号：CN102610566A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210017248.X

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黑泽哲也 ,  田久真也 ,  友野章

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。

公开(公告)号：CN1269192C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200410006906.0

申请日：2004-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田久真也 ,  佐藤二尚

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 本发明是以提供一种能抑制芯片抗折强度降低，在组装工序和可靠性试验等中可防止半导体芯片破裂的半导体器件制造方法。在半导体晶片(21)中形成半导体器件，沿划片线(24)对该半导体晶片划。然后，是以向半导体晶片的划片区(26)照射激光束(28)，使由于划片而形成的切削条痕熔融或气化为特征。在用于分割半导体晶片的划片工序后，采用对半导体芯片(25-1)、(25-2)、(25-3)、...的上边和侧面照射激光束的办法，熔融或气化切断面，消除由于切削条痕而引起的畸变和碎裂，因而会加强半导体芯片的抗折强度。