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公开(公告)号：CN1941090A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139389.3
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B2005/0029
Abstract: 一种磁记录介质包括：形成在基底(1)上的磁记录层(4)，其中记录磁道和伺服区被指定为形成在磁记录层上(4)的凸起和凹陷的图形，其中在凹陷下形成磁记录层(4)的薄膜部分，伺服区中的薄膜部分处的磁记录层(4)的厚度小于凸起处磁记录层(4)的厚度，伺服区中的凸起的磁化方向反平行于薄膜的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1677494A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510060087.2
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/59633 , G11B5/855 , G11B5/865
Abstract: 一种磁记录介质，包括：伺服区，其包含前同步信号区和色同步信号区，并具有磁性膜的标记；以及数据区，其具有上述磁性膜的分离磁道。上述色同步信号区包括信号部和非信号部，上述信号部包括在磁道方向上以周期性的图形形成的、其平面几何形状为矩形的上述磁性膜的矩形标记；上述非信号部包括上述磁性膜的标记，该标记具有与上述信号部中的矩形标记的图形不同的图形。
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公开(公告)号：CN1471100A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148474.3
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/0021 , G11B20/00086 , G11B20/00108 , G11B20/00173 , G11B20/00326 , G11B23/288 , G11B2020/10898
Abstract: 一种记录介质管理系统，包括：再现部分；记录部分；以及控制部分。控制部分执行第一到第四控制。第一控制是通过让再现部分读取验证区域来从记录介质的验证区域获取第一数据线，验证区域包括RAM位和ROM位的第一数据模式，第一数据线对应于第一数据模式，RAM位可以被第一写入条件至少改写一次数据，ROM位不能被第一写入条件改写数据。第二控制是让记录部分将预先确定的数据改写到RAM位。第三控制是从记录介质获取第二数据线，第二数据线对应于被改写的RAM位和ROM位的第二数据模式。第四控制是根据第一和第二数据线对记录介质执行验证。
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公开(公告)号：CN101542602A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000667.4
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，一种磁记录介质包括形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101312047A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810109058.4
申请日：2008-05-23
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种磁记录介质包括：记录区，其中形成与伺服信号和记录磁道相对应的凸起，并包含晶体磁性层(53)；以及非记录区，其中包含在所述记录区之间的凹陷的底部所留下非晶损伤层(55)。
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公开(公告)号：CN101202053A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710188779.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59688 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。
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公开(公告)号：CN100356450C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510074222.9
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下，容易地图形化磁记录层，通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理，获得磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101079271A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710137983.3
申请日：2007-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/667 , G11B5/72 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：环形基底(11)，其表面分成位于外圆周边缘与内圆周边缘之间的中央部分的记录区域(21)、位于分别从外和内圆周边缘开始的100μm或更大和2,000μm或更小的范围之内的边缘区域(23、25)，以及分别位于各边缘区域(23、25)和记录区域(21)之间的相邻区域(22、24)，基底(11)上的磁性膜(12)，以及磁性膜(12)上的保护膜(13)，其中边缘区域(23、25)的磁性膜(12)比相邻区域(22、24)的磁性膜薄，以及边缘区域(23、25)的保护膜(13)的至少一部分比相邻区域(22、24)的保护膜厚。
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公开(公告)号：CN101042880A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089484.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 提供了一种制造构图介质的方法，所述构图介质具有基底(51)和在所述基底上的磁记录层，所述磁记录层包括凸起的磁图形(52)和填充所述磁图形(52)之间的凹陷的非磁性材料。该方法包括以下步骤：沉积第一非磁性材料(55)，以填充所述磁图形(52)之间的凹陷；进行对所述第一非磁性材料(55)的表面改性；在所述第一非磁性材料(55)上沉积第二非磁性材料(56)；以及回蚀刻所述第二和第一非磁性材料(55，56)。
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