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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1471100A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148474.3
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/0021 , G11B20/00086 , G11B20/00108 , G11B20/00173 , G11B20/00326 , G11B23/288 , G11B2020/10898
Abstract: 一种记录介质管理系统，包括：再现部分；记录部分；以及控制部分。控制部分执行第一到第四控制。第一控制是通过让再现部分读取验证区域来从记录介质的验证区域获取第一数据线，验证区域包括RAM位和ROM位的第一数据模式，第一数据线对应于第一数据模式，RAM位可以被第一写入条件至少改写一次数据，ROM位不能被第一写入条件改写数据。第二控制是让记录部分将预先确定的数据改写到RAM位。第三控制是从记录介质获取第二数据线，第二数据线对应于被改写的RAM位和ROM位的第二数据模式。第四控制是根据第一和第二数据线对记录介质执行验证。
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公开(公告)号：CN100419859C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610003707.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种磁记录设备具有磁记录介质，该磁记录介质包括基板和包含基板上的磁性图形的磁性层，所述磁性层包括构成记录磁道和伺服区的数据区，所述伺服区的磁性图形被用作地址位，以及构造成在磁记录介质上飞行时从磁记录介质读取信号的磁头，其中，在相应于两个相邻记录磁道的伺服区上的两个用作地址位的磁性图形以一个磁性图形的一角最接近于另一个磁性图形的一角这样的方式排列的情况下，两个磁性图形的角基本彼此分离。
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公开(公告)号：CN1822110A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003707.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种磁记录设备具有磁记录介质，该磁记录介质包括基板和包含基板上的磁性图形的磁性层，所述磁性层包括构成记录磁道和伺服区的数据区，所述伺服区的磁性图形被用作地址位，以及构造成在磁记录介质上飞行时从磁记录介质读取信号的磁头，其中，在相应于两个相邻记录磁道的伺服区上的两个用作地址位的磁性图形以一个磁性图形的一角最接近于另一个磁性图形的一角这样的方式排列的情况下，两个磁性图形的角基本彼此分离。
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公开(公告)号：CN101241725A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810005082.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的目的是提供非描画部分的表面粗糙度较小的印模。其特征是，它具备有：具有凹凸面的Ni的印模主体、和形成于上述印模主体的凹凸面上的V含量不足3原子％的Ni－V合金的表面层。
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公开(公告)号：CN1326144C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03148474.3
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B20/0021 , G11B20/00086 , G11B20/00108 , G11B20/00173 , G11B20/00326 , G11B23/288 , G11B2020/10898
Abstract: 本发明涉及记录介质、记录介质管理方法和记录介质管理系统。本发明的记录介质的特征在于具有：在上述记录区域中的可至少进行一次数据重写的RAM区域、不能进行数据重写的ROM区域和记录并存储数据的数据存储区域，根据第一写入条件将可至少进行一次数据重写的RAM位记录在上述RAM区域上，用上述第一写入条件将不能进行数据重写的ROM位记录在上述ROM区域上，形成由上述RAM位和上述ROM位排列成的验证区域。
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