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公开(公告)号：CN116161969B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202310221657.X
申请日：2019-11-19
IPC: C04B35/587 , F16C33/32 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/636
Abstract: 本发明提供一种滑动构件，其特征在于，其是具备具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体的滑动构件，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面的观察区域50μm×50μm中，可见到全部轮廓的任意的50个氮化硅晶粒中的在内部具有位错缺陷部的氮化硅晶粒的数目的比例为0％～10％。更优选上述比例为0％～3％。
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公开(公告)号：CN115667184B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180036514.0
申请日：2021-05-14
IPC: C04B35/587 , F16C33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，在用金属显微镜观察氮化硅烧结体的任意的截面时，在单位面积5mm×5mm的视场内存在1个以上长径为10μm以上的黑色部。此外，黑色部的长径优选为500μm以下。此外，单位面积5mm×5mm的视场内的黑色部优选为2个以上且10个以下。此外，优选在黑色部内存在Fe的偏析部。
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公开(公告)号：CN117083256A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202380010379.1
申请日：2023-03-03
IPC: C04B35/587
Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。
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公开(公告)号：CN112997017B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201980073611.X
申请日：2019-11-19
IPC: F16C33/24 , F16C33/32 , H02K5/173 , C04B35/593
Abstract: 本发明提供一种滑动构件，其特征在于，其是具备具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体的滑动构件，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面的观察区域50μm×50μm中，可见到全部轮廓的任意的50个氮化硅晶粒中的在内部具有位错缺陷部的氮化硅晶粒的数目的比例为0％～10％。更优选上述比例为0％～3％。
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公开(公告)号：CN112313191B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201980042179.8
申请日：2019-07-30
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108276008B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810154404.4
申请日：2014-10-21
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/498 , H05K1/03
Abstract: 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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公开(公告)号：CN108276008A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810154404.4
申请日：2014-10-21
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/498 , H05K1/03
CPC classification number: C01B21/068 , B32B18/00 , C01P2006/32 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/383 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/661 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49877 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板，具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上，其特征在于，氮化硅基板的剖面组织中，厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01～0.30，从绝缘强度的相对平均值的偏差为15％以下，所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外，绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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公开(公告)号：CN116161969A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310221657.X
申请日：2019-11-19
IPC: C04B35/587 , F16C33/32 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/636
Abstract: 本发明提供一种滑动构件，其特征在于，其是具备具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体的滑动构件，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面的观察区域50μm×50μm中，可见到全部轮廓的任意的50个氮化硅晶粒中的在内部具有位错缺陷部的氮化硅晶粒的数目的比例为0％～10％。更优选上述比例为0％～3％。
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公开(公告)号：CN115667184A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036514.0
申请日：2021-05-14
IPC: C04B35/587 , F16C33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，在用金属显微镜观察氮化硅烧结体的任意的截面时，在单位面积5mm×5mm的视场内存在1个以上长径为10μm以上的黑色部。此外，黑色部的长径优选为500μm以下。此外，单位面积5mm×5mm的视场内的黑色部优选为2个以上且10个以下。此外，优选在黑色部内存在Fe的偏析部。
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公开(公告)号：CN112313191A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042179.8
申请日：2019-07-30
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。
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