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公开(公告)号：CN101174669A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710147403.9
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B2005/0002 , G11C11/16 , H01L43/08 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种能获得MR变化率高、并能期待与高记录密度对应的磁阻效应元件以及利用该元件的磁头、磁记录再生装置及磁性随机存取存储器。所述元件具有：固定磁化方向的第1磁性层；固定磁化方向的第2磁性层；设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的中间层；以及对包括所述第1磁性层、所述中间层、所述第2磁性层的层叠膜的膜面垂直地通电的电极，所述中间层具有绝缘体区域和包括Fe、Co、Ni、Cr中至少一种的金属区域，使所述金属区域与所述第1及第2磁性层接触由此制成磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN119626733A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410283916.6
申请日：2024-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备。绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。绝缘部具有设置有第一线圈的第一绝缘层、设置有第二线圈的第二绝缘层、以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的第三绝缘层。第三绝缘层具有：第三中央绝缘区域，位于设置有第一线圈的第一中央绝缘区域与设置有第二线圈的第二中央绝缘区域之间；以及第三外周绝缘区域，包围第三中央绝缘区域。第三中央绝缘区域具有包含氧化硅的第一中央部分。第三外周绝缘区域具有包含氧化硅的第一外周部分和包含氮氧化硅的第二外周部分。第一中央部分的厚度大于第一外周部分的厚度。第二外周部分的厚度大于第一外周部分的厚度。
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公开(公告)号：CN114976544B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210586280.3
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极之上；第二电极，设置于第一绝缘部之上；第二绝缘部，包围第二电极而设置，沿着与第一方向垂直的第一面而设置，与第二电极接触；第一电介质部，设置于第二电极之上及第二绝缘部之上；以及第二电介质部，设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间，第二电极具有：与第一绝缘部相对置的底面、与第一电介质部相对置的上表面及与上表面及底面连接的侧面，第二电介质部与第二电极接触，包含第一及第二电介质层，第一电介质层与第一绝缘部接触，第二电介质层设置于第一电介质层与第二绝缘部之间，第一电介质层具有比第二电介质层、第一绝缘部及第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。
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公开(公告)号：CN111796220B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010160188.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/02
Abstract: 提供能够提高检测灵敏度的磁传感器、传感器模块及诊断装置。根据实施方式，磁传感器包括第1元件、第1布线及第1磁性部。所述第1元件包括第1磁性层、第1对置磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第1对置磁性层之间的第1非磁性层。从所述第1对置磁性层向所述第1磁性层的方向沿着第1方向。所述第1布线在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1磁性部包括第1区域及所述第1对置区域。所述第1布线的至少一部分在所述第1方向上位于所述第1区域与所述第1对置区域之间。
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公开(公告)号：CN115346956A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210522361.7
申请日：2022-05-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115051128A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN113437461B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN113437461A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN101101959B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710128678.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的具有隔层的CCP结构的磁阻效应元件的制造方法中，该隔层形成时，形成第一金属层，在该第一金属层上形成可变换为该绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将该第二金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的该金属层，在通过该第一变换处理所形成的该绝缘层和该金属层上形成可变换为该绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将该第三金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的金属层。
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公开(公告)号：CN101101958A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127879.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，对所述磁化固定层、构成所述隔层的所述第一金属层、所述第二金属层、所述第二金属层变换为所述绝缘层之后的绝缘层、以及所述第三非磁性金属层的至少一部位照射离子或等离子，来增强各层间的密接性。
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