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公开(公告)号：CN100346421C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03149408.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁随机存取存储器及其写入方法，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。
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公开(公告)号：CN100342451C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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公开(公告)号：CN1269134C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02157547.9
申请日：2002-12-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 在读出位线(BLj)上连接了多个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)具有串联在读出位线(BLj)和接地端子(VSS)之间的多个MTJ元件(12)。这些MTJ元件(12)层叠在半导体衬底上。读出位线(BLj)配置在层叠的多个MTJ元件(12)上。在读出块(BKjn)内的多个MTJ元件(12)的附近，存在沿着X方向延伸的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)和沿着Y方向延伸的写入位线(BLj0、BLj1)。
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公开(公告)号：CN1476019A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03152413.3
申请日：2003-07-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。
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公开(公告)号：CN1452175A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02151653.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5607
Abstract: 提供一种磁存储器，其中，在第一配线(BL)的上下层叠第一和第二磁阻效应元件(C1，C2)，在与第一配线垂直的方向上设置第二和第三配线(DL1，DL2)，通过使电流分别流过上述第二和第三配线，并使电流流过上述第一配线，在分别使上述第一和第二磁阻效应元件的记录层的磁化在规定的方向上的同时反转记录二值信息中的任何一个，通过检测通过上述第一配线使检测电流流过上述第一和第二磁阻效应元件而获得的来自这些磁阻效应元件的输出的差值，作为二值信息的任意一个读出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100476991C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02148057.5
申请日：2002-10-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/02
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , H01L21/76895 , H01L43/08
Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。
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公开(公告)号：CN1290117C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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公开(公告)号：CN1252824C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03152413.3
申请日：2003-07-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁存储装置，包括：在第一方向上延伸的第一布线；在与上述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线；配置在上述第一和第二布线间的上述第一和第二布线的交点上的磁电阻效应元件；至少覆盖上述第一布线的下面和两个侧面中的某一个面的第一磁轭主体部；至少覆盖上述第二布线的上面和两个侧面中的某一个面的第二磁轭主体部；在上述磁电阻效应元件的上述第一方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第一和第二磁轭尖部；在上述磁电阻效应元件的上述第二方向上的两个侧面上与上述磁电阻效应元件分开配置的第三和第四磁轭尖部。
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公开(公告)号：CN1252728C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN02156356.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 浅尾吉昭
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L31/18
Abstract: 提供一种磁存储器及其制造方法。该磁存储器包括：备有第1半导体层、在该第1半导体层上形成的第1绝缘膜、和在该第1绝缘膜上形成的第2半导体层的SOI衬底；具有从上述第2半导体层表面到达上述第1绝缘膜的深度并在上述第2半导体层内有选择地形成的元件隔离绝缘膜；在上述第2半导体层上形成的开关元件；与上述开关元件连接的磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件下方，与上述磁阻效应元件分离地配置的在第1方向延伸的第1布线，该第1布线把通过在其上流过电流而产生的磁场施加到上述磁阻效应元件上；以及在上述磁阻效应元件上形成的、且在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线，该第2布线把通过在其上流过电流而产生的磁场施加到上述磁阻效应元件上。
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公开(公告)号：CN1244154C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN01143959.9
申请日：2001-12-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 与本发明的一个实施形态有关的半导体存储装置具备在第1方向上延伸的多条第1配线，与上述第1配线连接的多个存储元件，在与上述第1方向不同的第2方向上延伸的，夹着上述存储元件那样地位于上述第1配线的相反一侧上，与上述存储元件隔开地配置的多条第2配线，和分别与邻接的上述第2配线连接的第1晶体管或第1二极管。
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