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公开(公告)号：CN115244715A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080098166.5
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/032
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供转换效率优异的太阳能电池、多接合型太阳能电池、太阳能电池组件及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极(2)；n电极(5)；位于p电极(2)与n电极(5)之间的以氧化亚铜为主体的p型光吸收层(3)；以及位于p型光吸收层(3)与n电极(5)之间的第1n型层(4A)，其是以Gax1M1x2M2x3M3x4M4x5Ox6所示的化合物为主体的层(4A)，M1为Hf或/及Zr，M2为选自In、Ti及Zn中的1种以上，M3为Al或/及B，M4为选自Sn、Si及Ge中的1种以上，x1、x2及x6是大于0的数值，x3、x4及x5是0以上的数值，当使x1、x2、x3、x4及x5之和为2时、x6为3.0～3.8。
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公开(公告)号：CN103325955A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310032657.1
申请日：2013-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5203 , F21L4/00 , H01L51/5212 , H01L51/5225 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明涉及有机电致发光器件和照明装置。根据一个实施例，有机电致发光器件包括第一电极、多个第二电极以及有机发光层。第一电极包括第一主表面，并且是透光的。第二电极在平行于第一主表面的第一方向上延伸，并且在平行于第一主表面且垂直于第一方向的第二方向上是彼此分隔开的。第二电极的透光率低于第一电极的透光率。在第一方向上延伸的线与每个第二电极的侧表面之间沿第二方向的距离沿着第一方向连续地增大和减小。上述侧表面与第一主表面不平行。有机发光层被设置在第一电极和第二电极之间。
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公开(公告)号：CN102195005A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010273790.2
申请日：2010-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/0091 , H01L51/009
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管、显示器和照明器件。根据一个实施方案，提供一种有机发光二极管(10)，其包括相互间隔排列的阳极(12)和阴极(17)，和插入阳极(12)与阴极(17)之间且包括主体材料和发射掺杂剂的发射层(14)。发射掺杂剂包括由下式(1)表示的铜配合物，其中Cu+表示铜离子，配体A表示具有氮作为配位元素的吡啶衍生物且可具有取代基，PR1R2R3为与Cu+配位的膦化合物，其中R1、R2和R3可相同或不同，且表示具有6个或更少碳原子的线性、支化或环状烷基，或可具有取代基的芳族环状基团，且X-表示抗衡离子(相反离子)，其中X表示F、Cl、Br、I、BF4、PF6、CH3CO2、CF3CO2、CF3SO3或ClO4。
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公开(公告)号：CN115315816B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202180019967.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、位于所述p电极和所述n电极之间且主要含有氧化亚铜的p型吸光层、以及包含第一n型层和第二n型层的n型层，所述第一n型层位于所述p型吸光层和所述n电极之间，主要包含Gav1Znv2Snv3M1v4Ov5表示的化合物，所述M1为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Mg、Si和Ge中的一种或多种，所述v1、v2和v4为大于或等于0.00的数值，所述v3和v5为大于0的数值，所述v1和v2中至少一个为大于0的数值，以及当所述v1、v2、v3和v4的总和为1时，所述v5大于或等于1.00且小于或等于2.00，且所述第一n型层位于所述n电极侧；所述第二n型层是主要包含Gaw1M2w2M3w3M4w4Ow5表示的化合物的层，所述M2为Al和/或B，所述M3为选自In、Ti、Zn、Hf和Zr中的一种或多种，所述M4为选自Sn、Si和Ge中的一种或多种，所述w1和w5为大于0的数值，所述w2、w3和w4为大于或等于0.00的数值，以及当所述w1，w2,w3和w4的总和为2时，所述w5大于或等于3.00且小于或等于3.80，且所述第二n型层位于所述p型吸光层侧。
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公开(公告)号：CN118077061A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202380013404.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L25/04 , H02S20/30
Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及一种n型层、一种太阳能电池、一种多结太阳能电池、一种太阳能电池模块和一种光伏发电系统。根据实施方式的n型层包含非晶氧化镓作为主要成分。该n型层的导电类型为n型。在非晶氧化镓的Ga(II)位点，掺杂有含量相对于所述非晶氧化镓中包含的Ga为大于0[原子％]且小于等于67[原子％]的一种或多种镧系元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117916897A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202380013403.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072
Abstract: 一种制造太阳能电池的方法，包括在基底上形成p电极；在p电极上形成含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜；以及将含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物作为主要成分的膜氧化。氧化的氧分压为100[Pa]以上且小于5000[Pa]。氧化的温度为100[℃]以上且300[℃]以下。氧化的持续时间为1[秒]以上且90[分钟]以下。
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公开(公告)号：CN116134628A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180061562.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072
Abstract: 本发明要解决的课题是，提供一种转换效率优异的太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、形成于p电极上且以氧化亚铜或/及氧化亚铜的复合氧化物为主体的p型光吸收层、形成于p型光吸收层上且含有含Ga的氧化物的n型层、和形成于n型层上的n电极。在p型光吸收层与n型层之间包含第1区域，第1区域为从距离p型光吸收层和n型层的界面朝n型层侧深2nm的位置起直到距离p型光吸收层和n型层的界面朝p型光吸收层侧深2nm以下的位置为止的区域，第1区域中含有Cu、Ga、M1及O。M1为选自Sn、Sb、Ag、Li、Na、K、Cs、Rb、Al、In、Zn、Mg、Si、Ge、N、B、Ti、Hf、Zr及Ca中的1种以上的元素。第1区域的Cu、Ga、M1及O的比为a1：b1：c1：d1，a1、b1、c1及d1满足1.80≤a1≤2.20、0.005≤b1≤0.05、0≤c1≤0.20及0.60≤d1≤1.00。
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公开(公告)号：CN115917763A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180051134.4
申请日：2021-06-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/05
Abstract: 实施方式的串联太阳能电池(1)具有：顶部单电池模块(2)，电连接有多个顶部单电池串(Tsj)；第一串连接部(212)；底部单电池模块(3)，电连接有多个底部单电池串(Bsj)；以及第二串连接部(312)。顶部单电池串(Tsj)由多个顶部单电池(Ti)电连接而构成。底部单电池串(Bsj)由多个底部单电池(Bi)电连接而构成，且配置为在从顶部单电池(Ti)的厚度方向观察的俯视观察时与顶部单电池串(Tsj)重叠。第一串连接部(212)具有在俯视观察时延伸到顶部单电池模块(2)的外侧的第一延伸部(212b)。第二串连接部(312)具有在俯视观察时延伸到底部单电池模块(3)的外侧的第二延伸部(312b)。第一延伸部(212b)和第二延伸部(312b)在俯视观察时相互分离地配置。
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公开(公告)号：CN115315816A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180019967.2
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、位于所述p电极和所述n电极之间且主要含有氧化亚铜的p型吸光层、以及包含第一n型层和第二n型层的n型层，所述第一n型层位于所述p型吸光层和所述n电极之间，主要包含Gav1Znv2Snv3M1v4Ov5表示的化合物，所述M1为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Mg、Si和Ge中的一种或多种，所述v1、v2和v4为大于或等于0.00的数值，所述v3和v5为大于0的数值，所述v1和v2中至少一个为大于0的数值，以及当所述v1、v2、v3和v4的总和为1时，所述v5大于或等于1.00且小于或等于2.00，且所述第一n型层位于所述n电极侧；所述第二n型层是主要包含Gaw1M2w2M3w3M4w4Ow5表示的化合物的层，所述M2为Al和/或B，所述M3为选自In、Ti、Zn、Hf和Zr中的一种或多种，所述M4为选自Sn、Si和Ge中的一种或多种，所述w1和w5为大于0的数值，所述w2、w3和w4为大于或等于0.00的数值，以及当所述w1，w2,w3和w4的总和为2时，所述w5大于或等于3.00且小于或等于3.80，且所述第二n型层位于所述p型吸光层侧。
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公开(公告)号：CN102473846A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980160513.6
申请日：2009-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05B33/20 , H01L51/0085 , H01L51/5036
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件，它是具备相互间隔配置的阳极及阴极、配置于所述阳极与所述阴极之间的包含主体材料及发光掺杂剂的发光层的有机电致发光元件，其特征在于，所述主体材料包含二聚体以上的以下述通式(1)表示的吲哚骨架。[通式1]
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