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公开(公告)号：CN115336010B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080098161.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)；n电极(5)；以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)；和具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或具有第1n区域(4a)及第2n区域(4b)的n型层(4)，其中，第1n型层(4A)及第1n区域(4a)以Gax1M1x2M2x3M3x4Ox5所表示的化合物作为主体，M1为Al或/和B，M2为选自由In、Ti、Zn、Hf及Zr构成的组中的一种以上，M3为选自由Sn、Si及Ge构成的组中的一种以上，x1及x5为大于0的数值，x2、x3及x4为0以上的数值，在将x1、x2、x3及x4之和设定为2的情况下，x5为3.0以上且3.8以下，第2n型层(4B)及第2n区域(4b)以Gay1M1y2M2y3M3y4Oy5所表示的化合物作为主体，y1和y5为大于0的数值，y2、y3及y4为0以上的数值，在将y1、y2、y3及y4之和设定为2的情况下，y5为3.0以上且3.8以下。(x2+x3)大于(y2+y3)。
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公开(公告)号：CN115380392B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080098175.4
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第一区域及第二区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第一区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第二区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge中的一种以上，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。
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公开(公告)号：CN115244715B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080098166.5
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/032
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供转换效率优异的太阳能电池、多接合型太阳能电池、太阳能电池组件及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极(2)；n电极(5)；位于p电极(2)与n电极(5)之间的以氧化亚铜为主体的p型光吸收层(3)；以及位于p型光吸收层(3)与n电极(5)之间的第1n型层(4A)，其是以Gax1M1x2M2x3M3x4M4x5Ox6所示的化合物为主体的层(4A)，M1为Hf或/及Zr，M2为选自In、Ti及Zn中的1种以上，M3为Al或/及B，M4为选自Sn、Si及Ge中的1种以上，x1、x2及x6是大于0的数值，x3、x4及x5是0以上的数值，当使x1、x2、x3、x4及x5之和为2时、x6为3.0～3.8。
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公开(公告)号：CN117136439A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280019718.8
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352
Abstract: 提供一种转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池包含p电极、n电极、设置于p电极上的p型光吸收层、以及设置于p型光吸收层与n电极之间的n型层。从p型光吸收层的n型层侧的表面朝向p电极侧包含第一区域，第一区域包含n型掺杂剂，第一区域的厚度为1500[nm]以上且p型光吸收层的厚度[nm]以下，第一区域的n型掺杂剂的浓度为1.0×1014[cm‑3]以上且1.0×1019[cm‑3]以下，在第一区域中，n型掺杂剂的浓度及空穴浓度满足10≤{n型掺杂剂的浓度[cm‑3}/{空穴浓度[cm‑3}≤5.0×1026。
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公开(公告)号：CN116075945A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180061553.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072
Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、p电极上的包含氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的p型光吸收层、p型光吸收层上的n型层和n型层上的n电极，在p型光吸收层中，将从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为10nm的深度的位置为止的区域设定为第1区域，且将p型光吸收层的自从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为100nm的深度的位置为止的区域中除去第1区域以外的区域设定为第2区域的情况下，第1区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的最大亮度为第2区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的平均亮度的95％以上且105％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115380392A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202080098175.4
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第1n区域及第2n区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第1n区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第2n区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。
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公开(公告)号：CN115398649B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202180019308.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H10F77/12 , H10F71/00 , H10F10/161
Abstract: 根据实施方式所述的层叠薄膜的制造方法，包括在基底上形成p‑电极，在p‑电极上形成主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜，以及在主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜上进行氧化处理。氧化处理中的臭氧分压为5[Pa]以上且200[Pa]以下，氧化处理中的处理温度为273[K]以上且323[K]以下，氧化处理中的处理时间为1秒以上且60分钟以下。
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公开(公告)号：CN116888744A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202180094675.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/0465
Abstract: 根据实施方式，太阳能电池包含第一导电层(11)、第一对置导电层(11o)、第一光电转换层(21)、第一化合物层(31)、第二导电层(12)、第二对置导电层(12o)、第二光电转换层(22)及第二化合物层(32)。第一对置导电层(11o)包含第一导电区域(11a)。从第一导电层(11)朝向第一导电区域(11a)的方向沿着第一方向。第一化合物层(31)包含设置在第一光电转换层(21)与第一导电区域(11a)之间的第一化合物区域(31a)。从第一导电层(11)朝向第二导电层(12)的第二方向与第一方向交叉。第二对置导电层(12o)包含与第一导电层(11)电连接的第二导电区域(12b)。从第二导电层(12)朝向第二导电区域(12b)的方向沿着第一方向。从第一导电区域(11a)朝向第二导电区域(12b)的方向沿着第二方向。第二化合物层(32)包含第二化合物区域(32b)及第三化合物区域(32c)。第二化合物区域(32b)设置在第二光电转换层(22)与第二导电区域(12b)之间。第三化合物区域(32c)的至少一部分位于第一导电层(11)与第二导电层(12)之间。
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公开(公告)号：CN115336010A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202080098161.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725
Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)；n电极(5)；以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)；和具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或具有第1n区域(4a)及第2n区域(4b)的n型层(4)，其中，第1n型层(4A)及第1n区域(4a)以Gax1M1x2M2x3M3x4Ox5所表示的化合物作为主体，M1为Al或/和B，M2为选自由In、Ti、Zn、Hf及Zr构成的组中的一种以上，M3为选自由Sn、Si及Ge构成的组中的一种以上，x1及x5为大于0的数值，x2、x3及x4为0以上的数值，在将x1、x2、x3及x4之和设定为2的情况下，x5为3.0以上且3.8以下，第2n型层(4B)及第2n区域(4b)以Gay1M1y2M2y3M3y4Oy5所表示的化合物作为主体，y1和y5为大于0的数值，y2、y3及y4为0以上的数值，在将y1、y2、y3及y4之和设定为2的情况下，y5为3.0以上且3.8以下。(x2+x3)大于(y2+y3)。
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公开(公告)号：CN115244715A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202080098166.5
申请日：2020-10-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L31/032
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于提供转换效率优异的太阳能电池、多接合型太阳能电池、太阳能电池组件及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极(2)；n电极(5)；位于p电极(2)与n电极(5)之间的以氧化亚铜为主体的p型光吸收层(3)；以及位于p型光吸收层(3)与n电极(5)之间的第1n型层(4A)，其是以Gax1M1x2M2x3M3x4M4x5Ox6所示的化合物为主体的层(4A)，M1为Hf或/及Zr，M2为选自In、Ti及Zn中的1种以上，M3为Al或/及B，M4为选自Sn、Si及Ge中的1种以上，x1、x2及x6是大于0的数值，x3、x4及x5是0以上的数值，当使x1、x2、x3、x4及x5之和为2时、x6为3.0～3.8。
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