公开(公告)号：CN116075945A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180061553.6

申请日：2021-07-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 中川直之 ,  水野幸民 ,  保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  西田靖孝 ,  山本和重

IPC: H01L31/072

Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、p电极上的包含氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的p型光吸收层、p型光吸收层上的n型层和n型层上的n电极，在p型光吸收层中，将从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为10nm的深度的位置为止的区域设定为第1区域，且将p型光吸收层的自从p型光吸收层与n型层的边界的位置起至朝向p电极侧为100nm的深度的位置为止的区域中除去第1区域以外的区域设定为第2区域的情况下，第1区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的最大亮度为第2区域的HAADF‑STEM图像的亮度分布的平均亮度的95％以上且105％以下。

公开(公告)号：CN115380392A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202080098175.4

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 中川直之 ,  水野幸民 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第1n区域及第2n区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第1n区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第2n区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。

公开(公告)号：CN113853687A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202080037621.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368

Abstract: 实施方式提供了具有改进的转换效率的太阳能电池、层叠体、多结太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能发电系统。根据实施方式的太阳能电池(100)包括透明的第一电极(1)，第一电极(1)上的第一半导体层(2)，第一半导体层(2)上的第二半导体层(3)，以及第二半导体层(3)上的透明的第二电极(4)；其中，凹槽(5)规则地存在于第一半导体层(2)的面向第二半导体层(3)侧的表面上。

公开(公告)号：CN117981093A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280058377.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 吉尾纱良 ,  和田淳 ,  保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  水野幸民 ,  山崎六月 ,  若松浩大 ,  西田靖孝 ,  山本和重

IPC: H01L31/0463 ,  H01L31/0352

Abstract: 根据实施方式，太阳能电池(110)包含第一导电层(11)、第一对置导电层(11o)以及第一光电转换层(21)。第一对置导电层(11o)包含第一导电区域(11a)。从第一导电层(11)朝向第一导电区域(11a)的方向沿着第一方向(D1)。第一光电转换层(21)包含第一光电转换区域(21a)和第二光电转换区域(21b)。第一光电转换区域(21a)在第一方向(D1)上设置于第一导电层(11)与第一导电区域(11a)之间。第二光电转换区域(21b)的沿着第一方向(D1)的第二厚度(t2)比第一光电转换区域(21a)的沿着第一方向(D1)的第一厚度(t1)薄。

公开(公告)号：CN111868941B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202080001906.9

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  中川直之 ,  吉尾纱良 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 实施方式提供透光性优异的层叠薄膜的制造方法、太阳能电池的制造方法、多结型太阳能电池的制造方法及太阳能电池模块的制造方法。实施方式的层叠薄膜的制造方法包含通过采用以铜为主成分的靶在氧分压为0.01[Pa]以上且4.8[Pa]以下的气氛中在第1透明电极上进行溅射来成膜光电转换层的工序；在所述光电转换层的成膜中，满足所述氧分压为上述范围内，且在将沉积速度设定为d[μm/min]时，所述氧分压为0.5×d[Pa]以上且1.5×d[Pa]以下；在所述光电转换层的成膜中，为300℃以上且600℃以下。(56)对比文件J. Gan等.Influence of target power onproperties of CuxO thin films prepared byreactive radio frequency magnetronsputtering《.THIN SOLID FILMS》.2015,250-255.A. Sivasankar Reddy等.Properties ofdc magnetron sputtered Cu2O filmsprepared at different sputteringpressures《.APPLIED SURFACE SCIENCE》.2007,5287-5292.

公开(公告)号：CN115398649A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180019308.9

申请日：2021-09-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  水野幸民 ,  山崎六月 ,  西田靖孝 ,  山本和重 ,  朝仓太郎

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0725

Abstract: 根据实施方式所述的层叠薄膜的制造方法，包括在基底上形成p‑电极，在p‑电极上形成主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜，以及在主要含有氧化亚铜和/或氧化亚铜的复合氧化物的膜上进行氧化处理。氧化处理中的臭氧分压为5[Pa]以上且200[Pa]以下，氧化处理中的处理温度为273[K]以上且323[K]以下，氧化处理中的处理时间为1秒以上且60分钟以下。

公开(公告)号：CN114270536A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080015714.3

申请日：2020-03-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 山本和重 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  平冈佳子

IPC: H01L31/0224

Abstract: 实施方式提供一种透明且剥离强度优异的太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具备：透明的基板；p电极，其设置在基板上且包含含有以Sn为主成分的金属氧化物的第1p电极、具有开口部且由含有金属或石墨烯的布线构成的第2p电极、及含有以In为主成分的金属氧化物的第3p电极；p型光吸收层，其与第1p电极的与第2p电极侧相反侧的面直接接触；n型层，其设在p型光吸收层上；和n电极，其设在n型层上；第3p电极以存在于第1p电极与第2p电极之间、且与第2p电极的上表面直接接触的方式设置，第2p电极的侧面的整面与第1p电极直接接触。

公开(公告)号：CN113728445A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080015675.7

申请日：2020-08-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 保西祐弥 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供制造多层薄膜的工艺、以及制造太阳能电池的方法、制造多结太阳能电池的方法、制造太阳能电池组件的方法。所述制造多层薄膜的工艺包括：在第一透明电极上形成包含Cu2O作为主要成分的光电转换层；和将具有形成在所述第一透明电极上的所述光电转换层的构件在氧浓度为5.0×10‑8[g/L]至5.0×10‑5[g/L]的第一气氛下放置1h至1600h。

公开(公告)号：CN115336010B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202080098161.2

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 山本和重 ,  中川直之 ,  水野幸民 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  平冈佳子

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明所要解决的课题是提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)；n电极(5)；以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)；和具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或具有第1n区域(4a)及第2n区域(4b)的n型层(4)，其中，第1n型层(4A)及第1n区域(4a)以Gax1M1x2M2x3M3x4Ox5所表示的化合物作为主体，M1为Al或/和B，M2为选自由In、Ti、Zn、Hf及Zr构成的组中的一种以上，M3为选自由Sn、Si及Ge构成的组中的一种以上，x1及x5为大于0的数值，x2、x3及x4为0以上的数值，在将x1、x2、x3及x4之和设定为2的情况下，x5为3.0以上且3.8以下，第2n型层(4B)及第2n区域(4b)以Gay1M1y2M2y3M3y4Oy5所表示的化合物作为主体，y1和y5为大于0的数值，y2、y3及y4为0以上的数值，在将y1、y2、y3及y4之和设定为2的情况下，y5为3.0以上且3.8以下。(x2+x3)大于(y2+y3)。

公开(公告)号：CN115380392B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202080098175.4

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 中川直之 ,  水野幸民 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  山崎六月 ,  平冈佳子 ,  山本和重

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明解决的课题在于，提供转换效率优异的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有：p电极(2)、n电极(5)、以氧化亚铜作为主体的p型光吸收层(3)、以及具有第1n型层(4A)及第2n型层(4B)或者具有第一区域及第二区域的n型层(4)，第1n型层(4A)及第一区域以由Gax1M1x2Ox3表示的化合物作为主体，M1为选自Hf、Zr、In、Zn、Ti、Al、B、Sn、Si及Ge中的一种以上，x1、x2及x3是大于0的数值，在将x1及x2之和设为2的情况下，x3为3.0～3.8，第2n型层(4B)及第二区域以由Gay1Zny2M2y3M3y4Oy5表示的化合物作为主体，M2为选自Hf、Zr、In、Ti、Al、B、Si及Ge中的一种以上，M3为Sn和/或Mg，y1、y2、y3及y4为0以上的数值，并且y3与y4之和大于0，在将y1、y2、y3及y4之和设为2的情况下，y5为2.2～3.6。