公开(公告)号：CN102668138B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200980163090.3

申请日：2009-12-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  冈俊行 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。

公开(公告)号：CN102194986B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010275105.X

申请日：2010-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 后藤田徹 ,  名古肇 ,  冈俊行 ,  财满康太郎 ,  布上真也

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。

公开(公告)号：CN104037286A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410080036.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382

Abstract: 根据一个实施方式，半导体发光元件包括n型的第一半导体层、p型的第二半导体层和发光单元。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层包括氮化物半导体。发光单元被设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠。阱层包括最接近第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近第二半导体层的第二p侧阱层。第一p侧阱层的激子的定域能小于第二p侧阱层的激子的定域能。

公开(公告)号：CN103943743A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410190978.9

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN102157648B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201010275566.7

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。

公开(公告)号：CN102668138A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980163090.3

申请日：2009-12-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  冈俊行 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。

公开(公告)号：CN101232068A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。