公开(公告)号：CN1773737A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510115600.3

申请日：2005-11-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/385 ,  F21K9/00 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。目的在于：防止在半导体发光装置中，在引线接合时产生的半导体发光元件的裂纹或缺损。特征在于，包括：支撑体104；夹着熔敷材料103固定在支撑体104上，具有第1电极及第2电极(102、106)，由至少含活性层的半导体层101构成的半导体发光元件；以及从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极(102、106)中的至少形成在半导体层101上面的一电极(106)为止的布线金属107。对一电极(106)的供电，是通过布线金属107进行的。

公开(公告)号：CN1202291C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN98106378.0

申请日：1998-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2，然后，在该二氧化硅薄膜2上，形成单晶硅薄膜3，再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。

公开(公告)号：CN1180135C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN98106206.7

申请日：1998-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括通过在含镓的气氛中加热硅基板1、在基板表面形成含仅一个金属镓原子的生长核、使其与基板结合的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。

公开(公告)号：CN1487605A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03155757.0

申请日：2003-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田大助

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。

公开(公告)号：CN1476108A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03148730.0

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田哲三 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/14

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光元件、其制造方法及安装方法，目的在于：使由化合物半导体特别是GaN系半导体制成的半导体发光元件的散热性良好，增大它的静电耐压，提高它的发光效率，减少它的串联电阻。发光二极管元件(10)中有包含导电型各不相同的至少两层半导体层的元件构成体(11)，在该元件构成体(11)上形成有由ITO制成的透光性p侧电极(15)，在该p侧电极(15)上的一部分区域形成有焊接垫(16)。在元件构成体(11)的与p侧电极15相反一侧的那个面上形成有由Ti/Au制成的n侧电极(17)，还形成有以n侧电极(17)的Au层为底层、厚度约50μm、利用镀金法制成的金属膜(18)。

公开(公告)号：CN1347177A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01136085.2

申请日：2001-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  高山彻 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/32308 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213

Abstract: 一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。