公开(公告)号：CN100337338C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410063346.2

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备有在表面上设有凸起的基板和借助于来自上述凸起的侧表面的晶体生长在上述基板的上述表面上形成的半导体层，上述凸起包含不与上述基板的上述表面平行的相互连接的2片侧表面，上述2片侧表面和与上述主面平行的面相交产生的2根线段的夹角为60°或120°。

公开(公告)号：CN1716655A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510079663.8

申请日：2005-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 折田贤儿

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0083

Abstract: 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷，该突起/凹陷形成二维周期性结构，而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应，能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面，能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。

公开(公告)号：CN1661869A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510056521.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，－1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。