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公开(公告)号：CN1836341A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023312.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中，电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同，配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中，热电转换膜是通过外延生长获得的膜，并且电气传导层与电气绝缘层交替配置，电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构，电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且，由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行，一对电极配置成使电流沿c轴流动。
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公开(公告)号：CN1340867A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层,磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层,夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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公开(公告)号：CN102792478A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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公开(公告)号：CN100477312C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200480003351.2
申请日：2004-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供一种热开关元件及其制造方法，该热开关元件具有与已有完全不同的构成，通过施加能量而能够控制热的传输。热开关元件包含第一电极(2a)、第二电极(2b)以及配置在第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的转变体(3)，转变体(3)包含通过施加能量进行电子相转变的材料，成为通过将能量施加到转变体(3)上，使第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的热传导率发生变化的元件。
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公开(公告)号：CN1270323C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含按照2个存储器层夹持隧道层的方式沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1745485A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003351.2
申请日：2004-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供一种热开关元件及其制造方法，该热开关元件具有与已有完全不同的构成，通过施加能量而能够控制热的传输。热开关元件包含第一电极(2a)、第二电极(2b)以及配置在第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的转变体(3)，转变体(3)包含通过施加能量进行电子相转变的材料，成为通过将能量施加到转变体(3)上，使第一电极(2a)和第二电极(2b)之间的热传导率发生变化的元件。
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公开(公告)号：CN1732573A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107768.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术完全不同的构成、可提高用于使磁性体的磁化状态发生变化的能量转换效率的磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器。所述磁性开关元件包括：磁性层、与所述磁性层磁耦合的转换层、具有选自金属及半导体的至少一种的载流子供给体，所述转换层与所述载流子供给体是以在所述转换层与所述载流子供给体之间能够施加电压的状态进行配置，所述转换层是通过施加所述电压而产生非强磁性－强磁性转换的层，由于所述转换层的所述转换，所述磁性层的磁化状态发生变化。
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公开(公告)号：CN1229880C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层，磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层，夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜，而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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公开(公告)号：CN1529910A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
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公开(公告)号：CN1488175A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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