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公开(公告)号:CN113588876B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202110790818.8
申请日:2021-07-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法,采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构,同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口,并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极,之后在色谱柱上加载固定相,在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料,并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离,提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时,将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成,能够显著降低传感器的体积,利于实现传感器的小型化,适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。
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公开(公告)号:CN114852950A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210070727.1
申请日:2022-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于微纳加工、表界面调控及电化学合成交叉技术领域的一种浸润性多级纳米阵列结构SERS衬底的制备方法,包括以下步骤:首先采用气液界面自组装方法在氧化硅硅片上结合反应离子刻蚀工艺获得规则且非密排PS小球掩膜版;然后依次对氧化硅和硅进行刻蚀,获得大面积硅柱结构;并在所获得的硅柱结构表面包覆金属膜,将该基底浸泡在含巯基分子溶液中进行疏水性调控;最后采用电化学沉积技术在上述疏水性硅衬底上制备得到了松枝状的Au纳米阵列结构,获得纳米阵列结构间隙灵活可调、大面积低成本高重复性、具有大量活性热富集高灵敏度的SERS衬底。
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公开(公告)号:CN113013085A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201911333631.4
申请日:2019-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L21/768 , C23C14/16 , C23C14/35 , C25D3/38 , C25D7/12
Abstract: 本发明公开了一种生长具有高温稳定性的纳米孪晶铜的硅通孔填充方法。该方法包括以下步骤:(1)在硅基片上通过干法刻蚀或湿法刻蚀形成通孔;(2)采用热氧化工艺将硅基片表面氧化,在侧壁上形成绝缘层;(3)利用光刻技术在Si基片的外围区域覆盖光刻胶,从而使Si基片中间位置形成一个圆形图案,且保证所述通孔位于所述圆形图案区域内;(4)在通孔中制作阻挡层和种子层;(5)以Cu板为阳极,以种子层为阴极,采用直流电镀的方式在通孔内生长纳米孪晶铜;(6)去除外围光刻胶。采用本发明的方法能够提高硅通孔互连材料的电学性能、机械性能和高温稳定性能,该方法成本低廉、制备工艺简单,适合产业化生产。
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公开(公告)号:CN112786772A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202110026188.7
申请日:2021-01-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法,材料包括:钽酸锂晶片,钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层,钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括:在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层,在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层;在Al层表面制备一层高分子粘附层;将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方;采用高纯金粒为原料,通过惰性气体氛围热蒸镀的方式,在高分子粘附层的上表面制备金黑层。采用本发明提升宽谱吸收率、提升衬底粘附性以及实现图形化大面积制备,该方法制备工艺简单,产品可靠性好,适合产业化生产。
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公开(公告)号:CN113125406B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201911412021.3
申请日:2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有微观有序纳米结构SERS基底及制备方法,属于光谱分析领域。包括基材,基材表面具有周期性排列的柱状微纳结构,柱状微纳结构包括由第一材料构成的第一层,由第二材料构成的第二层,基材及柱状微纳结构表面包覆由第三材料构成的第三层,第三层上沉积的金属纳米颗粒,基材由第一材料构成。在硅片上生成SiO2层,采用自组装方式将聚苯乙烯胶体球附着在SiO2层上,通过退火或反应离子刻蚀对聚苯乙烯胶体球进行尺寸调控;通过金属辅助化学刻蚀或干法刻蚀对SiO2介质层及对SiO2和Si混合纳米结构进行刻蚀;在硅片上沉积金,通过电化学法沉积金纳米颗粒。此基底灵敏度高、重复性好、成本低、适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN113125405B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201911406023.1
申请日:2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米锥针结构的SERS基底及制备方法,属于光谱分析领域。包括基材,基材表面具有周期性排列的纳米锥针结构,纳米锥针结构包括由第一材料构成的第一层,由第二材料构成的第二层,基材及纳米锥针结构表面包覆由第三材料构成的第三层,第三层上沉积的金属纳米颗粒,基材由第一材料构成。在硅片上生成SiO2层,采用自组装方式将聚苯乙烯胶体球附着在SiO2层上,通过退火或反应离子刻蚀对聚苯乙烯胶体球进行尺寸调控;通过金属辅助化学刻蚀或干法刻蚀进行刻蚀;通过化学腐蚀获得纳米锥针结构;在硅片上沉积金,通过电化学法沉积金纳米颗粒。此基底灵敏度高、重复性好、成本低、适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN112553575B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202011412059.3
申请日:2020-12-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层复合二氧化氮气敏薄膜及其制备方法,其中薄膜包括:带有氧化层的硅基片,以及自下而上依次沉积在硅基片表面的氧化锡层、三氧化钨层、贵金属层。其制备方法是采用直流掠射角磁控溅射技术,分别以锡、钨及贵金属为靶材,依次在硅基片表面沉积氧化锡、三氧化钨、贵金属薄膜,之后将试样置于马弗炉中进行热处理。本发明制备的多层复合气敏薄膜对二氧化氮灵敏度高,能在150℃的较低温度下检测0.1ppm的二氧化氮气体,有利于实现MEMS传感器的低功耗,也具备较低的基线电阻,适用于针对MEMS器件的检测电路。同时本发明采用的制备方法便于控制气敏材料的均匀性,与MEMS工艺兼容性高,适合于工业大规模生产。
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公开(公告)号:CN114720448A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210180299.8
申请日:2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法,包括:首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术,对硅片进行无掩膜刻蚀,获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构;然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜;最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应,还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制,通过二者的协同效应,对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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公开(公告)号:CN113125406A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201911412021.3
申请日:2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有微观有序纳米结构SERS基底及制备方法,属于光谱分析领域。包括基材,基材表面具有周期性排列的柱状微纳结构,柱状微纳结构包括由第一材料构成的第一层,由第二材料构成的第二层,基材及柱状微纳结构表面包覆由第三材料构成的第三层,第三层上沉积的金属纳米颗粒,基材由第一材料构成。在硅片上生成SiO2层,采用自组装方式将聚苯乙烯胶体球附着在SiO2层上,通过退火或反应离子刻蚀对聚苯乙烯胶体球进行尺寸调控;通过金属辅助化学刻蚀或干法刻蚀对SiO2介质层及对SiO2和Si混合纳米结构进行刻蚀;在硅片上沉积金,通过电化学法沉积金纳米颗粒。此基底灵敏度高、重复性好、成本低、适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN111116905A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911397964.3
申请日:2019-12-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有氨敏性能的导电聚苯胺原位合成方法,包括以下步骤:将反应容器采用惰性气体洗气后充入惰性气体作为保护气体;向反应容器内依次注入苯胺单体和盐酸得到混合溶液;磁搅拌混合溶液;将反应容器置于冰水混合物中,再向反应容器注入过硫酸铵溶液得到反应溶液,磁搅拌反应溶液;将反应溶液反应6h~8h后停止磁搅拌,使反应溶液自然升温;抽滤得到聚苯胺粉末;分别用甲醇、5%盐酸以及去离子水冲洗聚苯胺粉末;将聚苯胺粉末置于真空干燥箱内干燥1h。本发明方法可以得到盐酸掺杂的导电聚苯胺并对掺杂获得的粉体材料进行气敏性能分析,可以获得具有较好气敏响应性的聚合物材料,有望应用于气体传感器中。
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