公开(公告)号：CN112778921B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011171730.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J175/14 ,  C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。

公开(公告)号：CN115368835A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210403242.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  杉村敏正 ,  福井章洋 ,  木村雄大 ,  中浦宏

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J163/00 ,  C09J133/14 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及以使前述粘合剂层的一部分露出的状态层叠在前述粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述芯片接合层包含芳香族化合物，使通过将针对前述粘合剂层的露出部分、以及前述粘合剂层的与前述芯片接合层的层叠部分实施FT‑IR分析而得到的多个参数加以组合而导出的参数满足规定的数值范围。

公开(公告)号：CN112980366A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011494006.0

申请日：2020-12-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  中浦宏 ,  杉村敏正

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/29 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。

公开(公告)号：CN112778923A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011215646.3

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。

公开(公告)号：CN112080217A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010495568.0

申请日：2020-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供切割带及切割芯片接合薄膜。该切割带在基材上层叠有粘合剂层，上述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在上述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其在与上述第1树脂层相反侧层叠于上述第2树脂层，上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层。