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公开(公告)号：CN105563240A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510945572.1
申请日：2015-12-15
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种自增压高速磨粒流孔内表面抛光装置，其包括两组对称设置于被加工工件的左右两端的流体增压加速机构及夹具，所述流体增压加速机构包括流体增压加速腔体、活塞缸、活塞、活塞杆和驱动单元，所述流体增压加速腔体的一端通过夹具夹紧工件并与工件孔相连通，另一端与所述活塞缸相连通；所述活塞配合连接在所述活塞缸内，并通过所述活塞杆与所述驱动单元连接，所述驱动单元可带动所述活塞在所述活塞缸内往复运动。采用本发明，能够解决不规则异型孔、螺纹孔、膛线孔、细微孔、群微孔等难抛光的问题，具有精度高、加工效率高、损伤小、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103645078B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310643511.0
申请日：2013-12-05
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明是一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：将单晶半导体基片清洗干净；将单晶半导体基片沿着待检测面同一直线方向加工出一个或者多个微沟槽；在单晶半导体基片微沟槽的背面裂开施加压力，使单晶半导体基片在力的作用下沿着微沟槽方向裂成两半，完成单晶半导体基片截面的制样；将裂开的单晶半导体基片的检测截面水平放在光学显微镜下观察，移动单晶半导体基片使待检测面与检测截面的交界线出现在可视区域，调整光学显微镜镜头倍率，拍出截面上目标区域该区域的光学显微图片，测量检测截面上的裂纹到待检测面与检测截面的交界线的最大距离，完成单晶半导体基片亚表面微裂纹检测工作。本发明检测方法可行，检测结果可信。
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公开(公告)号：CN103072069B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201210553510.2
申请日：2012-12-19
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明是一种磁流变效应粘弹性夹持的电瓷基片柔性研抛装置及方法。包括有研磨头主轴、基板、具有与超薄硬脆材料基片的形状及大小一致的磁性套、高磁感应强度磁性体、研磨盘修整套、研磨盘、研磨盘主轴，其中固定螺钉将布置有高磁感应强度磁性体的基板镶嵌固定在磁性套上形成柔性研磨抛光头，研磨盘固定在研磨盘主轴上，研磨盘修整套置于研磨盘上，磁流变工作液通过循环管加入到研磨盘的上表面。本发明的基于磁流变效应的电子陶瓷基片柔性研磨抛光装置能对厚度小，翘曲变形大，研磨加工中易破碎、装夹困难的超薄硬脆材料基片进行研磨抛光,设计合理，方便实用。本发明磁流变效应粘弹性夹持的电瓷基片柔性研抛方法操作简单。
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公开(公告)号：CN115194564B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210769741.0
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东工业大学
IPC: B24B1/00 , B24B29/02 , B24B41/047 , B24B7/22 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及超精密抛光技术领域，更具体地，涉及一种半导体晶片磁控研磨和抛光一体盘及其使用方法，包括金属基体、若干磁流变弹性体、磁场发生装置、磁场隔离板、底座，若干磁流变弹性体均装设于所述金属基体中，所述磁场发生装置装设于所述底座且位于磁流变弹性体下方，所述磁场隔离板可拆卸安装于金属基体与底座之间，金属基体与底座可拆卸连接。本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种半导体晶片磁控研磨和抛光一体盘，可实现一个工具盘能够满足晶片研磨和抛光两种工艺要求，在确保研磨质量与抛光质量的同时，可有效地减小更换工具盘和工件安装的时间，实现半导体晶片高效平坦化加工。
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公开(公告)号：CN114559302B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210199935.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于抛光技术领域，更具体地，涉及一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法，其中抛光液包括基液以及混合于基液中的金属粉末、磨料；金属粉末与磨料的质量比为1:2～1:4，金属粉末的金属性弱于铟。本发明中一方面通过金属接触腐蚀反应将磷化铟表面氧化，从而降低磷化铟表面的硬度，其避免了使用酸性物质或碱性物质生成有毒气体危害工作人员安全或污染环境，同时还避免了抛光液对抛光装置的腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113290501A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110662117.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光加工技术领域，公开了一种金刚石晶片复合抛光加工方法，包括如下步骤：步骤一：配置芬顿反应液和光催化反应液；步骤二：采用紫外光照射步骤一配置好的芬顿反应液和光催化反应液；步骤三：将金刚石工件安装在抛光加工装置的工件盘上，并使抛光加工装置的抛光垫与金刚石工件接触，然后输送经过步骤二中经过紫外光照射的芬顿反应液和光催化反应液到抛光垫上；步骤四：使抛光垫与金刚石作相对旋转运动进行抛光，步骤二产生的大量的羟基自由基·OH，加快抛光加工过程中磨粒对工件表面材料的去除，能够有效地提高金刚石晶片抛光效率，并提高表面质量。本发明还提供一种实现上述方法的抛光加工装置。
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公开(公告)号：CN109746756B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811230961.6
申请日：2018-10-22
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过橡胶圈挤压供油的微沟槽组合圆盘刀，包括刀具本体、安装座和橡胶圈，安装座和刀具本体同轴固定于传动轴上而将安装座与刀具本体固定连接在一起；橡胶圈套设于安装座的外圆周上，橡胶圈的端面上开有储油槽，且橡胶圈的端面与刀具本体的端面上之间具有间隙；在刀具本体旋转加工时，金属板材挤压橡胶圈的外圆面，橡胶圈产生变形而将储油槽内的润滑油挤出，润滑油通过间隙流到刀具本体的刀刃上。在剪切加工时，橡胶圈的外圆周受到挤压而产生变形，使储油槽内的润滑油被挤压出储油槽。被挤出的润滑油在离心力的作用下通过间隙流到刀具本体的刀刃上，从而对刀具本体的刀刃进行润滑，具有结构简单、润滑均匀、投入成本低的有益效果。
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公开(公告)号：CN107877269A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711015132.1
申请日：2017-10-26
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种集群磁流变高效抛光加工高精度球的装置及抛光方法，包括上下抛光盘和磁场发生器。在磁场的作用下，进入抛光盘V型槽中的磁流变液在极短的时间内黏度变大，磁链串夹持磨粒形成柔性抛光垫，陶瓷球在V型槽中被柔性抛光垫包覆，且随着抛光盘的运动一边自转一边公转,磁流变柔性抛光垫中的磨粒将对陶瓷球表面进行抛光。本发明不需采用循环装置对磁流变液进行更新，一次装夹可实现球体粗抛光到精抛光的全过程，所获工件表面一致性好，形状精度稳定，加工效率高，无表面和亚表面损伤，且成本低，适合陶瓷球轴承中的高精度陶瓷球的高效率超光滑均匀研抛加工。
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公开(公告)号：CN104191313B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410425021.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23Q17/09
Abstract: 本发明涉及一种金属板材圆盘剪分切加工三向力测量装置及其方法，本发明的测量装置包括有上圆盘刀、下圆盘刀、上传动轴、下传动轴、机架、三向力测量平台，本发明通过伺服电机控制系统实现上传动轴和下传动轴同步反向旋转实现圆盘剪分切加工，三向力测量平台实时测取加工过程的力信号，本发明适用于0.1-3mm厚度的各类金属板材在不同工艺参数下的圆盘剪分切三向力测量，适用于新材料圆盘剪分切工艺分析、圆盘剪纵向分切机结构优化设计等，也可用于测量分断辊压迫分离作用力。本发明的测量装置结构简单，操作方便，解决了现有技术中金属板材圆盘剪分切加工三向力难以测量的问题，填补了分断辊滚压分离加工三向力在线测量的空白。
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公开(公告)号：CN106281043A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610630974.7
申请日：2016-08-01
Applicant: 广东工业大学
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种用于SiC单晶片的磁流变化学机械抛光液及其使用方法，其核心配方由A、B两部分构成，A配方包含3wt％～10wt％的磨粒、5wt％～30wt％的磁性微粒、1wt％～10wt％的分散稳定剂、基载液；B配方包含1wt％～30wt％的氧化剂、1wt％～10wt％的催化剂、0.01wt％～1wt％的PH值调节剂、基载液。采用本发明的磁流变化学机械抛光液，根据不同的设备和抛光需要，可以把A、B配方在加工前混合使用或者单独使用，并具有如下的有益效果：精抛加工后所得到的SiC单晶片表面粗糙度Ra达到0.3nm以下，材料去除速率可以达到0.1-3.8μm/h，抛光加工表面平整光滑。本发明的抛光液制备流程简单，使用操作方便，成本低，效率高，可用于加工SiC单晶片的硅面和碳面，具有很高的适用性和经济价值。
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